使電子電路免受損害的協同電路保護方案(一)
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圖6表示PPTC元件過電流/過溫度后，過電流/過溫度故障消除以后，PPTC元件阻值的恢復曲線。可見，即使若干小時后，PPTC元件的阻值仍然大于初始阻值，電阻的減小將需持續一段較長的時間，最終電阻才會接近初始電阻，這個時間可能是幾天、幾個月或幾年。但是，為了實現保護控制，要使PPTC元件的阻值恢復到初始值是不實際的。所以，選用PPTC元件時，在決定PPTC的保持電流就應考慮PPTC的初始電阻RImax的值，即PPTC元件動作后并恢復1小時后的電阻值這個參數。
2.5過電壓保護器件（SiBar）
過電壓保護器件按工作原理可以分為鉗位型過電壓保護器件和折返式過電壓保護器件。常用的鉗位型過電壓保護器件有MOV（MetaloxideVaristors）和二極管，而折返式過電壓保護器件有GDT和可控硅過電壓保護器件，折返式過電壓保護器件的I/V曲線如圖7所示。圖7中有關參數的含義如表2所示。折返式過電壓保護器件較鉗位型過電壓保護器件具有體積小和功耗低的優點。SiBar就是一種N型半導體的折返式的可控硅浪涌過電壓保護器件（TSP）。
SiBar在浪涌電壓超過擊穿電壓時候起分流的作用。當浪涌電壓超過擊穿電壓時，SiBar工作在保護特性曲線的低阻區，形成一個低阻通路，有效地降低過電壓。SiBar器件保持低阻狀態直到流過該器件的電流下降到低于保持電流。在過電壓事件過去之后，SiBar器件自動恢復到高阻狀態，系統正常工作，TVS二極管與SiBar晶閘管性能比較如表1所示。
表1TVS二極管與SiBar晶閘管性能比較
裝置 | 峰值I（A） | 峰值V(V) | 平均I（A） | 平均V(V) |
TVS二極管 | 23.4 | 124.8 | 4.37 | 74.19 |
SiBar晶閘管 | 23.8 | 89.6 | 5.41 | 25.33 |
在實用中，SiBar可用于照明、交流電源線和地移的保護應用場合。
表2圖7中有關參數的含義
參數 | 參數的含義 | 參數 | 參數的含義 |
IBO（擊穿電流） | 在擊穿電壓（VBO）下流過折返式過電壓保護器件的瞬態電流 | VD（關態電壓） | 在關態下加在折返式過電壓保護器件兩端的電直流電壓 |
VBO（擊穿電壓） | 在擊穿工作區，在折返式過電壓保護器件兩端的最大電壓，這個指標是在特定的電流和電壓上升率下測得的 | IH（保持電流） | 折返式過電壓保護器件保持通態時所需要的最低電流 |
ISD（關態電流） | 在關態直流電壓VD下流過折返式過電壓保護器件的直流電流 | VT（通態電壓） | 在規定通態電流IT下，折返式過電壓保護器件兩端的電壓 |
IT（通態電流） | 折返式過電壓保護器件在通態時通過器件的電流 | IPP（非重復脈沖峰值電流） | 在這個所加特定形狀的非重復脈沖峰值額定電流值下應不損壞過電壓保護器件 |
IBR（擊穿電流） | 在擊穿工作狀態下的工作電流 | VBR（擊穿電壓） | 在擊穿工作狀態下，在IBR擊穿電流前器件兩端的工作電壓 |
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