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具有高溫工作能力的1700V SPT+ IGBT和二極管芯片組

作者：時間：2012-05-25 來源：網絡

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正如圖14（b）所示，采用新的FSA概念，傳統二極管的高反向恢復SOA可以被超越，并且同SPT+質子輻射工藝平臺相比漏電流減小3倍。通過在有源區和終端保護環之間引入一個特殊的結延伸區域，可以獲得較好的反向恢復堅固性。圖17顯示了二極管卓越的堅固性——T_j=175℃條件下，通過了峰功率為550kW/cm²的SOA測試。

本文引用地址：http://www.104case.com/article/230468.htm

（b）

圖16反向阻斷過程中普通二極管（a）和FSA二極管（b）的摻雜濃度及阻斷態相關電場分布草圖

圖17T_j=175℃時1700V FSA二極管反向恢復SOA

5 結論和展望

本文介紹了ABB公司高溫工作的新型1700V SPT+ IGBT和二極管芯片組。為工作在較大寄生電感和多重并聯條件下工作，對芯片組進行了優化，并且有卓越的靜態和開關表現。當新芯片組用在T_j=150℃條件下工作的1700V 3600A HiPak2封裝中時，也顯示出低的總功耗和軟的電流瞬態。

為使結工作溫度能夠進一步拓展到T_j=175℃，還討論到了IGBT鈍化過程中的進一步優化和新型二極管陽極概念。

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關鍵詞： 芯片組 高溫 低損耗 高安全工作區

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