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        超低IQ LDO穩(wěn)壓器的選擇技巧

        作者: 時間:2012-08-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        增加,就可以進(jìn)一步優(yōu)化欠沖。作為實(shí)際案例,許多GPS接收器芯片組配備了外部喚醒(WAKEUP)信號來提前提示GPS從休眠狀態(tài)轉(zhuǎn)換狀態(tài)。信號通常連接至外部有源天線電源,也可以與為GPS芯片組供電的一起使用。通過這種方式,在GPS從休眠模式過渡到滿額功率模式之前就手動地設(shè)定為較高的接地電流消耗模式,從而提升動態(tài)性能。

          靜態(tài)電流差異及其對電池使用時間的影響

          下面將更密切地審視數(shù)據(jù)表中的靜態(tài)電流規(guī)格與實(shí)際測量結(jié)果的比較。在某些情況下,數(shù)據(jù)表中標(biāo)明的數(shù)據(jù)可能會與實(shí)際測量值差異極大。我們將確定要查看的某些參數(shù),從而避免電流消耗超出預(yù)計。

          例如,我們可以考慮都帶有自適應(yīng)接地電流配置的兩款極相似的:典型為10 μA的NCP702及典型為11 μA的某競爭器件。表2顯示了IOUT為0 μA時數(shù)據(jù)表靜態(tài)電流值及IOUT為10 μA和50 μA的實(shí)際接地電流消耗測量值。

        表2:安森美半導(dǎo)體NCP702及LDO競爭測量值與數(shù)據(jù)表值比較。

        表2:安森美半導(dǎo)體NCP702及LDO競爭測量值與數(shù)據(jù)表值比較

          在NCP702的案例中,IOUT為10 μA時測得的IGND值與數(shù)據(jù)表中的值極為接近。相比較而言,競爭器件在IOUT為10 μA時的實(shí)際IGND測量值要比數(shù)據(jù)表中的IQ值高出約49%.

          靜態(tài)電流的差異對電池使用時間到底有多大的影響?這個問題還不能簡單而論,它跟LDO的具體終端應(yīng)用有關(guān)。安森美半導(dǎo)體以使用LDO將電池電壓向下轉(zhuǎn)換并為負(fù)載提供電流的應(yīng)用為例,基于NCP702和上述LDO競爭器件進(jìn)行了測試比較。結(jié)果顯示,在IOUT為40 μA的輕載條件下,NCP702節(jié)省能耗約20%.但較大負(fù)載時,由于LED接地電流相對于從電池吸收的輸出電流較小,就沒有明顯的節(jié)省能耗優(yōu)勢了。

          負(fù)載電流變化對電池使用時間的影響

          LDO輸出電流極少保持恒定,我們可以擴(kuò)展研究范圍,考慮負(fù)載電流變化的情況。通常在這類應(yīng)用中,采用LDO供電的電路會在休眠模式與工作模式之間轉(zhuǎn)換。例如,圖8顯示了占空比為10%的某應(yīng)用的負(fù)載電流特性。負(fù)載在休眠模式下消耗40 μA電流,工作模式下電流消耗為100 mA.在輸出電流為40 μA時,NCP702將增加11.1 μA的接地電流,故總電池電流為51.1 μA.相同輸出電流時,LDO競爭器件增加的接地電流為21.4 μA,相應(yīng)消耗的總電池電流為61.4 μA.兩者之間相差20.2%.這表示在休眠模式下NCL704能節(jié)省電池電量消耗。圖9顯示的則是NCP702在不同占空比時能夠節(jié)省的電池電量。

        圖8:負(fù)載電流特性示例

        圖8:負(fù)載電流特性示例

        圖9:不同占空比時節(jié)省的電池電量

        圖9:不同占空比時節(jié)省的電池電量。

          LDO進(jìn)入壓降區(qū)時的接地電流

          LDO另一項(xiàng)很重要但又常常被輕視的參數(shù)就是LDO在進(jìn)入壓降條件下的接地電流消耗。在鋰離子電池或鋰聚合物電池供電的產(chǎn)品中,常見使用LDO來高能效地對電源穩(wěn)壓,產(chǎn)生3.3 V或3.1 V輸出電壓。然而,隨著電池放電,電池電壓衰減,LDO的輸入電壓VIN可能接近輸出電壓VOUT ,到達(dá)LDO穩(wěn)壓器進(jìn)入壓降區(qū)的那個點(diǎn)。在這種情況下,市場上的大多數(shù)超低IQ LDO將開始消耗明顯高得多的接地電流,超出數(shù)據(jù)表中標(biāo)出的值。圖10所示的不同輸入電壓條件下的IGND關(guān)系圖可以說明這一點(diǎn)。

        超低IQ LDO穩(wěn)壓器的選擇技巧

        圖10:IGND vs. VIN示例。

          如圖10所示,在壓降區(qū),LDO開始消耗多達(dá)100 μA電流。為了在功率敏感型應(yīng)用中解決這個問題,建議增加帶可調(diào)節(jié)遲滯特性的極低功率監(jiān)控器,用于在負(fù)載移除后恢復(fù)電池電壓。在某些遲滯特性不充足的情況下,帶閂鎖輸出的其它電壓檢測器可能更適合。但這將導(dǎo)致需要使用按鈕或來自電池充電控制器的信息來清除閂鎖。

          安森美半導(dǎo)體最新世代的超低IQ LDO整合了集成壓降條件檢測器,可以防止低輸入電壓條件下接地電流上升。集成了這種理念的器件包括NCP702和NCP4681等。

          小結(jié):

          傳統(tǒng)上,改善LDO穩(wěn)壓器的電流消耗表示要損及動態(tài)性能。新的工藝技術(shù)及設(shè)計技巧帶來像安森美半導(dǎo)體提供的系列超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器能夠更好地結(jié)合低靜態(tài)電流和動態(tài)性能。本文指出了設(shè)計人員在選擇LDO時應(yīng)該顧及的一些因素,包括密切注意LDO數(shù)據(jù)表,理解器件的具體工作特性,進(jìn)行根據(jù)應(yīng)用的關(guān)鍵要求選擇適合的方案。

        表3:安森美半導(dǎo)體超低IQ LDO穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列(*表示工作模式可藉AE引腳來選擇)

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