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        常用電源設計技巧

        作者: 時間:2013-01-17 來源:網絡 收藏
        與S引腳相連,開關已開啟。

          六 選擇好的整流二極管可以簡化AC/DC轉換器中的EMI濾波器電路并降低其成本

          該電路可以簡化AC/DC轉換器中的EMI濾波器電路并降低其成本。

          要使AC/DC符合EMI標準,就需要使用大量的EMI濾波器器件,例如X電容和Y電容。AC/DC的標準輸入電路都包括一個橋式整流器,用于對輸入電壓進行整流(通常為50-60 Hz)。由于這是低頻AC輸入電壓,因此可以使用如1N400X系列二極管等標準二極管,另一個原因是這些二極管的價格是最便宜的。

          這些濾波器器件用于降低產生的EMI,以便符合已發布的EMI限制。然而,由于用來記錄EMI的測量只在150 kHz時才開始,而AC線電壓頻率只有50或60 Hz,因此橋式整流器中使用的標準二極管的反向恢復時間較長,且通常與EMI產生沒有直接關系。

          然而,過去的輸入濾波電路中有時會包括一些與橋式整流器并聯的電容,用來抑制低頻輸入電壓整流所造成的任何高頻波形。

          如果在橋式整流器中使用快速恢復二極管,就無需使用這些電容了。當這些二極管之間的電壓開始反向時,它們的恢復速度非常快(參見圖2)。這樣通過降低隨后的高頻關斷急變以及EMI,可以降低AC輸入線中的雜散線路電感激勵。由于2個二極管可以在每半個周期中實現導通,因此4個二極管中只需要2個是快速恢復類型即可。同樣,在每半個周期進行導通的兩個二極管中,只需要其中一個二極管具有快速恢復特性即可。

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        在AC輸入端使用橋式整流器的SMPS的典型輸入級

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        輸入電壓和電流波形顯示了反向恢復結束時的二極管急變

          七 浮動恒流源允許超寬范圍的輸入電壓

          對Power Integrations的多數產品而言,數據手冊中限制的用于確保正常啟動和起作用的最小漏極電壓為50 V。但是,如果通過外部電源向旁路引腳饋電,則芯片可接收外部供電,且即使在較低的輸入電壓下也可啟動和工作。

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        功率控制器的浮動恒流源電路

          上圖所示的啟動電路為浮動恒流源,它為整個輸入電壓范圍內的TinySwitch-III的旁路(BP)引腳提供大約600 μA的恒流。

          恒流值由R2 和VR1確定:

          該電路源自基本的單晶體管電流源。該電路采用了一個齊納二極管,為Q2 (NPN)的基極引出端設置參考電壓,并以此對流經電阻R2的固定電壓進行編程,從而設置恒流值。然而,鑒于輸入電源范圍的異常寬廣性,參考齊納二極管的偏置電流在很大范圍內會有所差異。這將導致功率耗散增加及編程的恒流發生偏移。

          要克服上述難題,需要由其他的電流源(由Q1 (PNP)與R1形成)提供偏置電流。將等同于VBE的恒壓強加于R1,這樣可為整個工作范圍內的參考齊納二極管提供偏置電流補償。

          晶體管Q2以較低輸入電壓提供恒流,而Q1則以較高的輸入電壓提供恒流。圖2顯示了電流流經Q1和Q2時的模擬結果。輸入電壓達到大約50 VDC時,Q2將提供恒流。輸入電壓達到50 VDC及以上時,經過Q2的電流將減弱,而經過Q1的電流則呈線性增加。輸入電壓達到最大值375 VDC時,則主要由Q1提供恒流。

          R3用于限制整個電路在輸入電壓最大時的輸入電流。

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          超過輸入電壓時的晶體管電流與總的旁路(BP)引腳電流

          非線性電流由于齊納二極管VR1的非線性活動而上升。輸入電壓大約為60 VDC時,齊納二極管開始有電壓。

          八 用軟啟動禁止低成本輸出來遏制電流尖峰

          為滿足嚴格的待機功耗規范要求,一些多路輸出電源被設計為在待機信號為活動狀態時斷開輸出連接。通常情況下,通過關閉串聯旁路雙極晶體管(BJT)或MOSFET即可實現上述目的。對于低電流輸出,如果在設計電源變壓器時充分考慮到晶體管的額外壓降情況,則BJT可成為MOSFET的合適替代品,且成本更為低廉。

          圖1所示為簡單的BJT串聯旁路開關,電壓為12 V,輸出電流強度為100 mA,并帶有一超大電容(CLOAD)。晶體管Q1為串聯旁路元件,由Q2根據待機信號的狀態來控制其開關。電阻R1的值是額定的,這樣可確保Q1有足夠的基值電流在最小Beta和最大的輸出電流下以飽和的狀態工作。PI建議額外添加一個電容器(Cnew),用以調節導通時的瞬態電流。如果不添加Cnew,Q1在導通后即迅速進入電容性負載,并因而產生較大的電流尖峰。為調節該瞬態尖峰,需要增加Q1的容量,這便導致了成本的增加。

          用作Q1額外“密勒電容”的Cnew可以消除電流尖峰。該額外電容可限制Q1集電極的dv/dt值。dv/dt值越小,流入Cload的充電電流就越少。為Cnew指定電容值,使得Q1的理想輸出dv/dt值與Cnew值相乘等于流入R1的電流。

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          簡單的軟啟動電路可以禁止待機時的電源輸出,同時消除導通時的電流尖峰,因此,可利用小型晶體管(Q1)來保持低成本。


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