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VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計

作者：時間：2013-06-17 來源：網絡

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der=0 sizset="false" sizcache027861493069699683="2.0.7"> VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計

VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計

由于電路采用抗輻射加固設計，其他器件輻射損傷對輸出影響不大，仿真結果沒有變化，在此不再給出仿真結果。航天用DC／DC轉換器工作在很大的溫度范圍內，預兆單元溫度變化仿真結果，如圖6所示，輸出電壓不受影響，跳變點微小變化對報警影響不大。仿真結果證實所設計的預兆單元電路和預警方案是合理可行的。

VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計

VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計

　
4 結束語

文中把預警和健全管理(PHM)方法用于DC／DC轉換器抗輻射可靠性研究，研究了VDMOS器件和DC／DC轉換器之間的輻射損傷關系。結合輻射損傷關系和預兆單元技術原理設計了基于VDMOS器件損傷的DC／DC轉換器輻射預兆單元，仿真結果證實所設計的預兆單元可以對DC／DC轉換器輻射損傷失效提前報警。

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關鍵詞： VDMOS器件損傷 DC/DC 轉換器

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