整流二極管尖峰吸收電路的設計對比，選你所“愛”

再談談這兩種吸收電路的特點及其他吸收電路：

RC吸收：吸收尖峰的同時也將變壓器輸出的方波能量吸收，吸收效率低，損耗大，但電路簡單，吸收周期與開關頻率一致，可以用在低待機功耗電路中。

RCD吸收：適合所有應用RC吸收漏感尖峰的地方(包括正激、反激、全橋、半橋等拓撲)吸收效率較RC高，但是存在一直消耗電容(一般比較大)儲存的能量的情況，不適合應用在低待機功耗電路中(包括初級MOS管的漏感吸收);

再討論一下ZENER吸收：可以應用于初級MOS漏感尖峰吸收，次級整流管電壓尖峰吸收，還可應用于低待機功耗電路，吸收效率最高，成本高，但ZENER穩壓參數變化較大，需仔細設計。

整流管的反向恢復只會出現在連續工作模式中，斷續工作模式的電源拓撲，都不會存在整流管的反向恢復問題;

整流管的電容效應及次級雜散電容與次級漏感會引起振蕩，這種振蕩在整流管大的dv/dt(變壓器連整流管端電壓變化率)和二極管反向恢復電流(連續模式)影響下，表現為變壓器輸出端+輸出電壓通過次級漏感與整流管等雜散電容的諧振，從而引起整流管反向電壓尖峰。

通俗來講，二極管的反向恢復指正在導通的二極管從導通狀態轉換為反向截至狀態的一個動態過程，這里有兩個先決條件：二極管在反向截至之前要有一定正向電流(電流大小影響到反向恢復的最大峰值電流及恢復時間，本來已截至的狀態不在此列，故只有連續模式才存在反向恢復問題);為滿足二極管快速進入截至狀態，會有一個反向電壓加在二極管兩端(這個反向電壓的大小也影響已知二極管的反向恢復電流及恢復時間)。所以看有無反向恢復問題，可以對比其是否具備這兩個條件。

準諧振電路的好處是將斷續模式整流二極管最大的端變化電壓N*Uo+Uo變成N*Uo-Uo，減小了其整流二極管在初級MOS管開通時的電壓變化率，從而減少了漏感振蕩的激勵源，降低其產生的振蕩尖峰，如幅值不影響整流管耐壓安全，完全可以省去RC等吸收電路。

這里簡約說一下，不管是RCD吸收還是ZVS吸收，其N*Vo/Vclamp(N為變壓器初次級匝比，Vo為輸出電壓，Vclamp為嵌位電壓)越小，吸收的損耗就越小(這里不考慮RCD吸收中的D二極管反向恢復期間回灌的能量)，如果等于0，那損耗就是0.5*Lleakage*Ip^2*fsw，這個是極限值，也就是說實際的吸收損耗肯定會大于這個數，要想降低吸收損耗，在滿足MOS耐壓和EMI要求下，提高吸收點電壓就可以降低吸收損耗。