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        技術知識:嵌入式功率系統的100V MOSFET器件

        作者: 時間:2014-01-21 來源:網絡 收藏
        成短路,導致 MOSFET和變壓器損耗大幅度提高。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/226750.htm

        3.最低的FOMg和FOMgd值

        有效功率轉換的最高需求是在面向電信和服務器電源以及類似系統的DC/DC轉換領域。

        轉換器要求以有效方式提供最高的電流。這只有通過利用最先進的組件和拓撲結構并采用250kHz及以上的開關頻率才能實現。

        對于標準48V寬范圍系統而言,100VMOSFET通常作為半橋或全橋拓撲結構中的原邊側主開關。由于開關頻率非常高,需要低導通電阻Rds(on),亦需要低柵電荷Qg。FOMG(Rds(on)、Qg)成為MOSFET選擇的一個可靠衡量尺度。此外,與開斷損耗直接相關的Qgd也同樣重要。需要注意,整體效率僅增加1%將意味著MOSFET開關溫度下降17℃。D類放大器也有類似的要求,在D類放大器中,MOSFET運行在半橋或全橋拓撲結構里。

        100V MOSFET的應用涵蓋眾多要求。新型OptiMOS2 100V系列采用了先進的MOSFET技術,可為安全、快速開關和最低電阻功率提供所需的特性。

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