LED封裝中熒光粉的選擇與解決方案

　　圖4為Sr2SiO4的晶體結構圖(斜方晶系)，空間群Pmnb[4]。晶胞中同時存在兩個位置的Sr，即Sr1和Sr2，分別為8配位和7配位。

　　圖5為Sr2SiO4:Eu2+的激發光譜和發射光譜[3]，激發光譜為200nm～500nm的寬帶，可與紫外LED、近紫外LED和藍光LED芯片配合封裝白光LED。發射峰為中心位于550nm的寬帶發射，歸屬于Eu2+的4f65d1-4f7躍遷。

　　圖6為Sr2SiO4:Eu2+在不同溫度下的發光強度的變化。從圖中可以看出，溫度為100℃時，發射峰強度下降至常溫下的73%左右。并且，當溫度超過100℃后，發光強度開始迅速下降，至250℃時，其發光強度僅為常溫下的8%。由此可見，其熱穩定性較差。

　　圖7為Sr3SiO5的晶體結構圖(四方晶系)，空間群P4/nccS[5]。晶胞中同時存在兩個位置的Sr，即Sr1和Sr2，均為6配位。

　　圖8為Sr3SiO5:Eu2+的激發光譜(a)和發射光譜(b)。激發光譜覆蓋350nm～500nm的范圍，因而可作為紫外LED、近紫外LED和藍光LED芯片用熒光粉。發射峰為中心位于589nm的寬帶發射，歸屬于Eu2+的4f65d1-4f7躍遷。可與黃粉配合使用以提高白光LED的顯色指數。

　　圖9為Sr3SiO5:Eu2+在不同溫度下的發光強度的變化。從圖中可以看出，溫度為100℃時，發射峰強度下降至常溫下的92%。并且，當溫度超過100℃后，發光強度下降迅速加快。至250℃時，其發光強度僅為常溫下的46%。熱穩定性相對較差。據有關報道稱，可通過摻雜少量的Ba來改善其熱穩定性。

　　正硅酸鹽熒光粉最早的專利是通用電氣于1998年11月30日申請美國專利US 6,429,583。隨后，德國歐司朗申請了SrBaSiO4:Eu2+專利，美國專利號：US 7,064,480，優先權日為2000.7.28。接著，德國布賴通根熒光燈廠(LWB)，日本豐田合成 (Toyoda Gosei)和奧地利銳高 (Tridonic)聯合申請了含Sr、Ba和Ca的正硅酸鹽熒光粉專利，美國專利號：US 6,809,347，優先權日為2000.12.28。Sr3SiO5:Eu2+的專利最早見于韓國化工研究院(KRICT)申請的專利，美國專利號：US 7,045,826，優先權日為2003.3.28。