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        模組內部燈條LED真實熱阻模擬測試系統研究與分析

        作者:溫 存,林偉瀚,周 明,吳章強,梁邦兵(康佳集團股份有限公司,深圳 518053) 時間:2021-02-24 來源:電子產品世界 收藏
        編者按:LED封裝、模組的質量水平,如光通量、坐標等光性能,與LED內部芯片的結溫高低密切相關。一般LED結溫高,則性能差。因此,對于LED芯片企業、LED封裝企業和LED模組整機企業,了解LED芯片各層結構的熱阻顯得十分必要。現有的測量方法有很多,如紅外熱像儀法、電學參數法、光功率法等,行業測量熱阻比較通用、靠譜的方法是電學參數法。本文采用的測試方法是基于電學參數法原理,同時利用“焊腳溫度、環境溫度”等效法,通過設計相應的PCB規格,使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環境溫度,與真實模組或整


        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202102/422929.htm

        0   引言

        隨著科學技術的發展以及能源的日益緊缺,半導體照明的研究獲得了很大的進步,而半導體產品具有功耗低、使用壽命長和響應時間短等眾多優勢和發展潛力,已呈現逐漸取代傳統照明產品的趨勢[1]。LED是半導體照明中的關鍵器件,由于功率越來越大,大功率LED的耗散功率會導致LED芯片PN 結結溫上升,從而顯著地影響LED的光度、色度和電氣參數,甚至可能導致器件失效[2-4]。因此,在LED的整機、應用中,如電視,會優先考慮小,結溫低的LED。與此同時,整機廠商不僅關注單個LED和結溫測量,更關注的是在整機或者模組狀態下內部燈條LED的真實,以便為模組可靠性設計提供有力支撐。

        目前行業測量LED熱阻比較通用、靠譜的方法是,使用T3ster設備,T3Ster基于先進的JEDEC ‘Static Method’測試方法(JESD51-1),通過改變電子器件的輸入功率,使器件產生溫度變化,但該設備僅能測量尺度約在30 mm以內的小模塊的LED熱阻,無法評價整機或模組狀態下的LED熱阻(如常用的32寸到65寸模組)。因此,本文研究內容的原理基于電學參數方法,并在此基礎上利用“焊腳溫度、環境溫度”等效法,該方法可以真實可靠地模擬模組內部燈條LED的熱阻特性。

        1   測試原理

        LED是一種半導體器件,主要以熱阻來表征其本身的熱學特性。在熱平衡的條件下,2個規定點(或區域)溫度差與產生這兩點溫度差的熱耗散功率之比值稱為熱阻,用Rth表示,它表征了LED的散熱能力。熱阻計算公式如下:

        Rth=(Tj-Ts)/P       (1)

        其中,Tj 為穩定時待測LED的結溫;Ts為穩定環境的參考點溫度;P是待測LED在熱傳導通道上的耗散功率,Rth為待測LED P-N結到指定參考點(S點)之間的熱阻。通過式(1)可知,結到測試點Ts的熱阻,可由兩者之間的結溫與耗散功率比值得到。很多研究已經表明,熱阻(結到焊腳Ts),與環境溫度、PCB設計、散熱材質均強相關,本文研究基于電學參數方法測試原理,采用的熱阻等效方法,利用“焊腳溫度、環境溫度”等效,通過設計相應的PCB規格,使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環境溫度,與真實模組或整機狀態里的LED焊腳及環境溫度相當,利用該模塊測得的熱阻等效為模組或整機狀態里的LED熱阻。其中,被測模塊與整機/模組原始燈條LED具有相同的環境溫度、LED規格、散熱材質、驅動電流及相同的焊腳溫度,因此用被測模塊熱阻等效原始整機/模組原始燈條LED熱阻。

        2   測試系統的構成

        本文研究的測試系統組成框架如圖1所示,主要由電流測試儀、整機或者模組、溫度測試儀和T3ster設備組成。在整機或者模組點亮狀態下,通過電流測試儀測試電路中的驅動電流,從而確定通過燈條上LED的電流;T3ster設備測試整機或者模組內部的燈條LED熱阻;溫度測試儀測試在整機或者模組點亮狀態下內部的環境溫度和測試LED的焊腳溫度,從而確定T3ster設備上設置的環境溫度和LED的焊腳溫度。

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        圖1系統構成

        3   測量方法與步驟

        1)在點亮狀態下,測試模組燈條的實際工作電流IF;

        2)選取模組中溫升最高的LED(一般靠近電源板位置),在煲機2 h后測試該LED的焊腳溫度Ts1和模組內部環境溫度Ta1;

        3)截斷該燈條上的LED,記錄尺寸為L1,接好連接線,放置在T3ster的恒溫槽;

        4)設置恒溫槽的溫度為Ta2,Ta1=Ta2,測試電流為IF。在溫度Ta2穩定后,記錄該LED溫升為Ts2;

        5)對比Ts1和Ts2,當Ts1>Ts2,則繼續縮小燈條PCB板的尺寸,直至Ts1=Ts2;

        6)當滿足Ta1=Ta2,Ts1=Ts2后,測試該尺寸長度的LED的K系數和降溫曲線,再對降溫曲線提取結構函數,進行積分結構和微分結構,從結構函數中自動分析出該LED的熱阻;

        (7)測試該LED的熱阻,即等效該LED在模組狀態下的熱阻。

        4   測試過程

        本次測試采用43英寸電視模組,首先點亮43英寸模組,用電流測試儀TDS3032B設備連接線夾住燈條線,記錄43英寸模組的電流為492 mA。拆開該43英寸模組,選擇溫升最高的LED(一般靠近電源板位置),在刮去該LED的燈條PCB銅箔,使該LED與其他LED斷開單獨控制,再用導線把其他LED連接起來,同時把單獨控制的LED負極連接溫度測試儀的探頭1,測試焊腳溫度Ts1,另一個探頭2放置在該LED附近,測試環境溫度Ta1,如圖2所示。裝好43英寸模組,用直流源單獨點亮該LED,其余正常電源板點亮,煲機2 h后,記錄探頭1和探頭2對應的焊腳溫度Ts1和Ta1分別為59.9 ℃、50.3 ℃。把43英寸模組測試的LED取出,連接導線,記錄尺寸L2為14 mm×17 mm,放在T3ster設備的恒溫槽內,如圖3。設置槽內溫度為Ta2=Ta1=50.3 ℃,測試電流為492 mA,一段時間后記錄此時的LED焊腳溫度Ts2為58.9 ℃。由于Ts2<Ts1,繼續縮小PCB的尺寸,當尺寸L3為14 mm×10 mm,得到的Ts3為60.3 ℃。此時焊腳溫度Ts3與在43英寸模組內部測試的焊腳溫度Ts1接近,且環境溫度相同,Ta2=Ta1=Ta3=50.3 ℃,則測試該尺寸L3的LED在不同環境溫度下的電壓值,如圖4,由式(2)得到K系數:

        K =ΔT/ΔVF          (2)

        然后設置環境溫度為Ta2=Ta1=Ta3=50.3 ℃,輸入測試電流492 mA,一定時間后達到熱平衡,設置電流為1 mA,實現快速降溫,同時得出降溫曲線,如圖5。通過TSP(溫度敏感參數)獲得LED的瞬態溫度變化曲線,即將K因子關系代入電壓變化以獲得瞬態溫度變化曲線,對冷卻曲線進行數值處理并提取結構函數,得到了微分結構曲線和積分結構曲線,如圖6和圖7,從曲線看出,一共有5個明顯的峰,代表5個不同位置的熱阻,從左到右分別為PN結內部的熱阻、結到固晶層的熱阻、結到焊盤的熱阻、結到PCB的熱阻、結到環境的熱阻,如圖8。我們測試的位置是燈條的LED負極焊腳S點,因此,第3個峰結到焊盤的熱阻就是我們需要測試的結果,從而得出尺寸為L2和L3時對應的熱阻為8.38 K/W和8.96 K/W,并在測試過程中得出電壓、Tj等參數。當尺寸為L3時,43英寸模組內部和恒溫槽內環境溫度Ta相同,且焊腳溫度Ts基本一致,此時尺寸L3的熱阻值可以等效為在43英寸模組內真實的熱阻。

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        圖2 模組內LED連接示意圖

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        圖3 恒溫槽內LED連接示意圖

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        圖4 瞬態溫度響應曲線(K系數)

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        圖5 樣品冷凝曲線(降溫曲線)

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        圖6 由K系數和冷凝曲線獲得瞬態溫度曲線

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        圖7 代入結構函數得到L2和L3尺寸對應的熱阻

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        圖8 LED不同位置熱阻示意圖

        5   實驗數據及分析

        通過上述的測試方法,得出43英寸模組內燈條LED的熱阻及相關光學參數,同樣的方式測得32英寸模組、50英寸模組、55英寸模組和65英寸模組,數據如表1。

        表1 各種尺寸模組的數據


        模組

        PCB尺寸/mm2

        K系數

        IF/mA

        VF/V

        Ta/℃

        Ts/℃

        Tj/℃

        Rth/Ω

        43UHD

        14×17

        1.312

        490

        3.07

        50.3

        58.9

        72.3

        8.38

        14×10

        1.288

        490

        3.08

        50.3

        60.3

        74.1

        8.96

        32HD

        12×10

        1.296

        510

        3.04

        38.5

        47.4

        59.8

        7.44

        50UHD

        18×14

        1.261

        440

        3.05

        38.2

        47.9

        58.2

        7.08


        55UHD

        13×16

        1.302

        500

        3.07

        39.5

        50.8

        62.7

        7.43

        65UHD

        14×16

        1.303

        500

        3.06

        37.7

        49.9

        61.3

        7.22

        上述表中的環境溫度Ta,與模組內部的燈條數量及排布有很大關系,43UHD模組空間小,燈條數量多,因此模組內的環境溫度比其他尺寸模組大,對應的焊腳溫度Ts、結溫Tj和熱阻也大。

        根據表中熱阻的測試結果,理論計算公式Rth =(Tj -Ts)/P,式中的Tj、Ts和P=IV可在測試過程中得出,推算理論熱阻是否與實驗結果接近。如43UHD模組中,當PCB尺寸為14 mm×10 mm時,環境溫度和焊腳溫度基本一致,實驗測試的熱阻為8.96 K/W,實驗過程可知Tj=74.3 ℃、Ts=60.3 ℃、P=IV= 1.509 2 W,則可得熱阻為9.14 K/W,實驗測試值與理論計算值接近。

        6   結語

        基本測試LED的原理,利用“焊腳溫度、環境溫度”等效,通過設計相應的PCB規格,使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環境溫度,與真實模組或整機狀態里的LED焊腳及環境溫度相當,該模塊測得的熱阻即可等效為模組或整機狀態里的LED熱阻。本實驗結果證實上述方法可行并具有較高的可信度,通過這種等效的辦法,可以解決T3ster設備無法評價整機或模組狀態下的LED熱阻,真實還原在模組、整機內LED熱阻發熱狀態,提高整機、模組LED壽命評價方法的準確性、科學性,提升可靠性。

        參考文獻:

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        [2] 王建,黃先,劉麗,等.溫度和電流對白光LED發光效率的影響[J].發光學報,2008,29(2):358-363.

        [3] 劉一兵,丁潔.功率型技術[J].液晶與顯示,2008,23(4):508-512.

        [4] 陳明祥,馬澤濤,劉勝.LED感應局部加熱封裝試驗研究[J].發光學報,2007,28(2):241-246.

        [6] International Organization for Standardization.MIL-STD-750D Notice 3 Method 3101.3 Thermal Impedance(Response)Testing of Diodes[S].2006.

        [7] 中華人民共和國信息產業部.SJ 20788-2000半導體二極管熱阻抗測試方法[S].北京:電子工業出版社,2000.

        (本文來源于《電子產品世界》雜志社2020年12月期)



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