初步認識51芯片
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圖2－2 外接晶體引腳 | |||||||||||||||||||||||
| XTAL1 19 XTAL2 18 XTAL1是片內振蕩器的反相放大器輸入端，XTAL2則是輸出端，使用外部振蕩器時，外部振蕩信號應直接加到XTAL1，而XTAL2懸空。內部方式時，時鐘發生器對振蕩脈沖二分頻，如晶振為12MHz，時鐘頻率就為6MHz。晶振的頻率可以在1MHz-24MHz內選擇。電容取30PF左右。 ＊型號同樣為AT89C51的芯片，在其后面還有頻率編號，有12,16,20,24MHz可選。大家在購買和選用時要注意了。如AT89C51 24PC就是最高振蕩頻率為24MHz,40P6封裝的普通商用芯片。 3.復位 RST 9 | |||||||||||||||||||||||
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圖2－3 常用復位電路 | |||||||||||||||||||||||
| 4.輸入輸出引腳 (1) P0端口[P0.0-P0.7] P0是一個8位漏極開路型雙向I/O端口，端口置1（對端口寫1）時作高阻抗輸入端。作為輸出口時能驅動8個TTL。 對內部Flash程序存儲器編程時，接收指令字節;校驗程序時輸出指令字節，要求外接上拉電阻。 在訪問外部程序和外部數據存儲器時，P0口是分時轉換的地址(低8位)/數據總線，訪問期間內部的上拉電阻起作用。 (2) P1端口[P1.0－P1.7] P1是一個帶有內部上拉電阻的8位雙向I/0端口。輸出時可驅動4個TTL。端口置1時，內部上拉電阻將端口拉到高電平，作輸入用。 對內部Flash程序存儲器編程時，接收低8位地址信息。 (3) P2端口[P2.0－P2.7] P2是一個帶有內部上拉電阻的8位雙向I/0端口。輸出時可驅動4個TTL。端口置1時，內部上拉電阻將端口拉到高電平，作輸入用。 對內部Flash程序存儲器編程時，接收高8位地址和控制信息。 在訪問外部程序和16位外部數據存儲器時，P2口送出高8位地址。而在訪問8位地址的外部數據存儲器時其引腳上的內容在此期間不會改變。 (4) P3端口[P3.0－P3.7] P2是一個帶有內部上拉電阻的8位雙向I/0端口。輸出時可驅動4個TTL。端口置1時，內部上拉電阻將端口拉到高電平，作輸入用。 對內部Flash程序存儲器編程時，接控制信息。除此之外P3端口還用于一些專門功能，具體請看表2－2.。 ＊P1－3端口在做輸入使用時，因內部有上接電阻，被外部拉低的引腳會輸出一定的電流。 | |||||||||||||||||||||||
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表2－2 P3端口引腳兼用功能表 | |||||||||||||||||||||||
| 呼！一口氣說了那么多，停一下吧。嗯，什么？什么叫上拉電阻？上拉電阻簡單來說就是把電平拉高，通常用4.7－10K的電阻接到Vcc電源，下拉電阻則是把電平拉低，電阻接到GND地線上。具體說明也不是這里要討論的，接下來還是接著看其它的引腳功能吧。 5.其它的控制或復用引腳 (1) ALE/PROG 30 訪問外部存儲器時，ALE（地址鎖存允許）的輸出用于鎖存地址的低位字節。即使不訪問外部存儲器，ALE端仍以不變的頻率輸出脈沖信號(此頻率是振蕩器頻率的1/6)。在訪問外部數據存儲器時，出現一個ALE脈沖。對Flash存儲器編程時，這個引腳用于輸入編程脈沖PROG (2) PSEN 29 該引是外部程序存儲器的選通信號輸出端。當AT89C51由外部程序存儲器取指令或常數時，每個機器周期輸出2個脈沖即兩次有效。但訪問外部數據存儲器時，將不會有脈沖輸出。 (3) EA/Vpp 31 外部訪問允許端。當該引腳訪問外部程序存儲器時，應輸入低電平。要使AT89C51只訪問外部程序存儲器（地址為0000H-FFFFH）,這時該引腳必須保持低電平。對Flash存儲器編程時，用于施加Vpp編程電壓。Vpp電壓有兩種，類似芯片最大頻率值要根據附加的編號或芯片內的特征字決定。具體如表2－3所列。 | |||||||||||||||||||||||
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表2－3 Vpp與芯片型號和片內特征字的關系 | |||||||||||||||||||||||
| 看到這您對AT89C51引腳的功能應該有了一定的了解了，引腳在編程和校驗時的時序我們在這里就不做詳細的探討，通常情況下我們也沒有必要去撐握它，除非你想自己開發編程器。下來的課程我們要開始以一些簡單的實例來講述C程序的語法和編寫方法技巧，中間穿插相關的硬件知識如串口，中斷的用法等等。 | |||||||||||||||||||||||
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