基于單片機的系統外擴展的存貯器

一、實驗目的
1、學習片外存貯器擴展方法。
2、學習數據存貯器不同的讀寫方法。
3、學習片外程序存貯器的讀方法。
二、實驗內容
1.實驗原理圖：

2、實驗內容
（1）使用一片2764EPROM，作為片外擴展的程序存貯器，對其進行讀。
（2）使用一片6264RAM，作為片外擴展的數據存貯器，對其進行讀寫(使用鍵盤監控命令和程序運行兩種方法)。
3、實驗說明
（1）在使用鍵盤監控命令讀片外擴展的程序存貯器2764中內容時，由于本系統中該程序存貯器作為用戶目標系統的程序存貯器，因此DVCC系統必須處于仿真2狀態，即“H.....”態，用MEM鍵即可讀出。
（2）在使用鍵盤監控命令讀寫片外擴展的數據存貯器6264中的內容時，由于本系統中該數據存貯器作為用戶目標系統的數據存貯器，因此DVCC系統處于仿真1態(“P.....”態)或仿真2態(“H.....”態)，用ODRW鍵即可讀寫。
（3）讀寫數據的選用。
本實驗采用的是55H(0101，0101)與AAH(1010，1010)，一般采用這兩個數據的讀寫操作就可查出數據總線的短路、斷路等，在實驗調試用戶電路時非常有效。
（4）在仿真1態即“P.....”狀態下，編寫程序對片外擴展的數據存貯器進行讀寫，若L1燈閃動說明RAM讀寫正常。
三、程序
程序清單：
ORG 0C80H
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
MOV A,#55H
RAM1: MOV R7,#0FFH
RAM2: MOVX @DPTR,A
CLR P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM2
DJNZ R6,RAM1
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
RAM3: MOV R7,#0FFH
RAM4: MOVX A,@DPTR
CJNE A,#55H,RAM6
SETB P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM4
DJNZ R6,RAM3
RAM5: CLR P1.0
CALL DELAY
SETB P1.0
CALL DELAY
SJMP RAM5
DELAY: MOV R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
DJNZ R4,$
DJNZ R5,DELAY1
RET
RAM6: SETB P1.0
SJMP RAM6
END
四、實驗步驟
1、片外擴展程序存貯器的讀。
(1)將RAM/EPROM區的D0—D7用排線連到BUS2區XD0—XD7，同樣用排線將A0—A7連到BUS1區XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區XA8—XA12。
(2)PGM插孔連到+5V插孔。
(3)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
(4)OE插孔連到BUS3區XPSEN插孔。
(5)在DVCC系統處于“P?”狀態下，按F1鍵進入仿真2態(“H.....”狀態)。
(6)輸入四位程序存貯器地址8000后按MEM鍵讀出2764中的內容。
2、片外擴展數據存貯器的讀寫(用鍵盤監控命令)
(1)取出RAM/EPROM區中的實驗監控，再插上數據存貯器6264。
(2)將RAM/EPROM區的D0—D7用排線連到BUS1區XD0—XD7，A0—A7連到BUS1區XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區XA8—XA12。
(3)WE插孔與BUS3區XWR相連。
(4)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
(5)OE插孔連到BUS3區XRD插孔。
(6)CS2插孔與+5V插孔相連。
(7)在DVCC系統處于“P?”狀態下，按F2鍵進入仿真1態(即“P.....”)或按F1鍵進入仿真1態(即“P.....”)。
(8)輸入四位地址8000后按ODRW鍵可讀寫6264中的內容。
3、片外數據存貯器的讀寫(用程序)
步驟同上①—⑥。
(7)按框圖編制程序，在上位機上進行編譯，鏈接形成Hex(或ABS)最終目標文件，然后傳送到DVCC實驗系統仿真RAM區中。
(8)在“P?”狀態下，按F2鍵，進入仿真1態(“P.....”)，從起始地址0C80H開始連續運行程序。對6264進行讀寫。若L1燈閃動，表示6264 RAM讀寫正常。