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        基于S3C4510B的ARM開發平臺

        作者: 時間:2012-05-21 來源:網絡 收藏

        下面使用SST39VF160來構建Flash存儲系統。實際應用電路圖如圖3所示。

        圖3 16位Flash存儲系統電路圖

        Flash存儲器在系統中通常用于存放程序代碼,系統上電或復位后從此獲取指令并開始執行,因此,應將存有程序代碼的Flash存儲器配置到 ROM/SRAM/Flash Bank0,即將S3C4510B的nRCS0>(Pin75)接至SST39VF160的CE#端。注意,此時應將S3C4510B的 B0SIZE[1:0]置為“10”,選擇ROM/SRAM/Flash Bank0為16位工作方式。

        3.3 SDRAM接口電路

        本平臺使用HY57V281620構建16位的SDRAM存儲系統,足夠滿足嵌入式操作系統及各種相對復雜的算法的運行要求,實際應用電路圖如圖4 所示。SDRAM的控制信號較多,其連接電路也要相對復雜,可將HY57V281620配置到DRAM/SDRAM Bank0~DRAM/SDRAM Bank3的任一位置,一般配置到DRAM/SDRAM Bank0,即將S3C4510B的nSDCS0>(Pin89)接至HY57V281620的nCS端。HY57V281620的 BA1、BA0接S3C4510B的地址總線ADDR13>、ADDR12>來選擇SDRAM中的4個Bank。

        圖 4 16位SDRAM存儲器系統的電路圖

        3.4 10M/100Mbps以太網接口電路

        S3C4510B 內部實際上已包含了以太網MAC 控制,但并未提供物理層接口,因此,需外接一片物理層芯片以提供以太網的接入通道。平臺使用RTL8201BL作為以太網的物理層接口。

        由于S3C4510B 片內已有帶MII 接口的MAC 控制器,而RTL8201BL 也提供了MII 接口,各種信號的定義也很明確,因此RTL8201BL與S3C4510B 地連接比較簡單。圖5 為RTL8201BL的實際應用電路圖。信號的發送和接受端TPRX+、TPRX-、TPTX+、TPTX-應通過網絡隔離變壓器和RJ45接口接入傳輸媒體,HR901108A是一款集成網絡隔離變壓器的RJ45接口,避免隔離變壓器不匹配問題,簡化設計。注意網絡部分有數模混合信號,數字地和模擬地之間用磁珠連接。


        圖5 RTL8201BL的實際應用電路圖

        3.5 串行接口電路

        幾乎所有的微控制器、PC 都提供串行接口,使用電子工業協會(EIA)推薦的RS-232-C 標準,這是一種很常用的串行數據傳輸總線標準。RS-232-C 標準采用的接口是9 芯或25 芯的D 型插頭,常用的9 芯D 型插頭。要完成最基本的串行通信功能,實際上只需要RXD、TXD 和GND 即可,但由于RS-232-C 標準所定義的高、低電平信號與S3C4510B 系統的LVTTL 電路所定義的高、低電平信號完全不同,LVTTL 的標準邏輯“1”對應2V~3.3V 電平,標準邏輯“0”對應0V~0.4V 電平,而RS-232-C 標準采用負邏輯方式,標準邏輯“1”對應-5V~-15V 電平,標準邏輯“0”對應+5V~+15V 電平,顯然,兩者間要進行通信必須經過信號電平的轉換,目前常使用的電平轉換電路為MAX232,系統選用電平位3.3V的MAX232。

        3.6 時鐘電路

        實時時鐘在系統中主要是為系統提供時鐘基準,在許多應用中有這方面的需求,由于S3C4510B片內沒有RTC電路,需要外擴,本平臺采用了HT1381時鐘芯片。

        HT1381是一款低耗的實時時鐘芯片,并用若干寄存器存儲對應信息,一個32.768KHz的振校準時鐘。本平臺分配S3C4510B的3根 GP10分別作為HT1381的復位RST、串行時鐘SCLK、I/O口。為了獲得更精確的時間,可在晶振兩端各加一個電容,電容大小與晶振精確度相關,一般晶振誤差正負10ppm的用5pF電容補償,晶振誤差10~20ppm的用8pF電容。

        3.7 系統總線擴展

        除了S3C4510B32根數據線、22根地址線、各類控制線,平臺提供了很多外圍擴展口,例如18個通用I/O總線接口、JTAG接口、UART接口、IIC 總線接口等,限于篇幅不再贅述。通過這些擴展口,我們可以很方便地在開發板上進行擴展電路實驗以及根據一些特定的需要進行系統級的設計。

        4 結束語

        基于7的芯片 S3C4510B 是適用在手持設備、網絡通信和工業控制及其他很多產品中的一款高性能、小體積的芯片。嵌入式系統的高速發展勢必將不斷促進 技術的向前發展,設計功能強大的 內核及體積小,性能高,功耗小的ARM芯片和基于 ARM 芯片的嵌入式系統將會是未來嵌入式系統發展的主要方向。

        本文的創新點是,利用S3C4510B芯片建立的ARM 開發平臺,該平臺功能強大,適合用來作為開發高性能手持式以及便攜式智能設備或終端。充分體現了 ARM 芯片的強大功能,操作方式靈活,可擴展性強。

        參 考 文 獻

        1 李驅光.ARM 應用系統開發祥解[M].北京:清華大學天大學出版社,2004

        2 馬忠梅.ARM 嵌入式處理器與嵌入式系統[J].電子世界, 2003,(3):41~42

        3 江俊輝.基于ARM的嵌入式系統硬件設計[J].微計算機信息,2005,(7):120~122

        4 S3C4510B Data Sheet[EB/OL].http://www.samsung.com.cn.

        5 周彩寶,劉應學.ARM 體系以及 AMBA 總線分析.計算機工程,2003,(5):147~149


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