提高MSP430G系列單片機的Flash擦寫壽命的方法

2.2 劃分子頁方案

在Flash 中劃分出至少2 個頁(Page)用作模擬EEPROM，根據應用需求將需寫入EEPROM 進行保存的變量數據劃分成一個定長的數組(子頁)，例如16 個字節或者32 字節，將頁劃分成若干子頁后，需對Flash 中的所有子頁按照地址順序進行逐次編號。每個子頁的第一個字節通常用來指示該子頁的狀態，子頁狀態可以為：空、已寫入或者失效。

在芯片上電初始化時，首先查找出第一個尚未寫入數據的子頁，并進行標識，在進行寫EEPROM操作時，應用程序需將待寫入EEPROM 子頁的所有數據按照事先約定好的順序整理好，再一次性將所有變量數據寫入空的子頁中，最后將模擬EEPROM 的操作指針指向下一個空閑的子頁，等待下一次寫入。待將一個頁的數據寫滿后，再進行一次擦除操作。需要處理好指向子頁的指針的跳轉。

每個頁存在3 種可能狀態：

擦除態：該頁是空的。

已寫滿數據狀態：該頁已經寫滿數據。

有效頁狀態：該頁包含著有效數據并且該頁尚未寫滿，仍可向子頁寫入數據。

圖三介紹了使用子頁的方式實現Flash 模擬EEPROM的數據處理方法。

2.2.1 軟件描述

在軟件實現上，為了便于軟件處理，建議定義一些關鍵宏定義和結構體，指定Flash 模擬EEPROM 的起始、結束地址、頁的大小、子頁的大小、每個頁的子頁數目等參數，同時將需要操作的參數封裝起來，便于軟件操作和管理，不建議定義許多離散的標志變量。

在軟件操作上，Flash 模擬EEPROM模塊需要提供幾個API 接口給應用程序調用。

? 通過typedef 關鍵字定義設備類型，typedef unsigned char u8;

? ChkFstPowerOnInfo()用于檢測芯片是否為第一次上電并初始化EEPROM 參數到內存，原型如下。

Void ChkFstPowerOnInfo(void);

? FlashWrite()用于寫Flash，傳遞的形參包括指向待寫入數據的指針，待寫入數據在子頁中的起始字節編號，寫入數據的長度，原型如下。

void FlashWrite( u8 *array, u8 startNum, u8 length );

? FlashErase()用于擦除Flash，傳遞的形參是子頁的編號，在擦除函數中需要根據子頁的編號判斷是否需要執行頁的擦除操作，原型如下。

void FlashErase(u8 seg_sn);

2.2.2 軟件流程圖

軟件啟動后，初始化模擬EEPROM流程圖描述如下。

調用API，向模擬EEPROM 寫入數據的軟件流程如圖五所示。在軟件處理中，要特別注意目標指針的切換和保證寫入數據的正確性，在代碼空間允許的情況下，可以增加一些校驗算法來保證。