存儲測試系統(tǒng)USB接口的設計與實現(xiàn)
加入技術交流群
從SRAM讀取存儲數(shù)據(jù)時，單片機首先置片選信號CE和讀控制信號OE為低電平，測試系統(tǒng)的時序控制電路在OE信號的作用下推動SRAM的地址，SRAM則將對應地址的數(shù)據(jù)放在總線上。單片機讀取數(shù)據(jù)總線后，判斷FT245R的寫允許信號TXE是否為低電平，若為低電平則進入向FT245R發(fā)送數(shù)據(jù)子程序，若為高電平說明FT245R忙，不能寫數(shù)據(jù)，單片機繼續(xù)判斷TXE信號，直到變低為止。發(fā)送數(shù)據(jù)時，單片機首先置FT245R的寫控制信號WR為高電平，然后將讀取的PORTD端口的數(shù)據(jù)發(fā)送至PORTB端口，接著將WR變回低電平。之后，繼續(xù)判斷TXE的狀態(tài)，變低后發(fā)送從PORTC端口讀取的數(shù)據(jù)，完成12 b數(shù)據(jù)自測試系統(tǒng)讀取并經(jīng)FT245R發(fā)送的過程，流程如圖4所示。在編程時，根據(jù)測試系統(tǒng)SRAM的存儲容量，重復上述操作即可實現(xiàn)測試數(shù)據(jù)經(jīng)USB接口發(fā)送至計算機。
3．2 計算機編程
計算機端程序采用VB 6．0編寫，通過調用FTDI提供的動態(tài)鏈接庫，進行讀、寫函數(shù)等的調用與操作。在VB程序中，首先需要在模塊里聲明動態(tài)鏈接庫“FTD2XX．DLL”。然后，在主程序里需要先對FT245R進行初始化，包括打開設備、復位設備、清理緩沖區(qū)、設定等待時間等步驟，初始化流程如圖5所示。其他工作參數(shù)如波特率、奇偶校驗、溢出控制等使用默認設置即可。
對FT245R初始化完成后，就可以進行數(shù)據(jù)發(fā)送和接收。發(fā)送數(shù)據(jù)時，將數(shù)據(jù)賦值到發(fā)送數(shù)組，調用發(fā)送函數(shù)FT_Write，然后判斷函數(shù)返回值是否等于1。若為1說明數(shù)據(jù)發(fā)送成功，否則需要重新發(fā)送。接收數(shù)據(jù)時，首先需要設定接收超時時間。然后調用FT_Getstatus函數(shù)讀取接收緩沖區(qū)的狀態(tài)，判斷接收隊列中是否有數(shù)以及是否滿足設定的讀取字節(jié)數(shù)閾值。若滿足瀆取條件，則調用讀數(shù)函數(shù)FT_Read，讀取當前緩沖區(qū)的數(shù)據(jù)并存入數(shù)組，否則就一直等待，直到滿足讀取條件或產(chǎn)生接收超時。若產(chǎn)生超時，程序自動跳出接收程序，避免陷入死循環(huán)。接收流程如圖6所示。
4 結論
設計的USB接口數(shù)據(jù)傳輸率達到1 MB／s，滿足存儲測試系統(tǒng)數(shù)據(jù)讀取速率的要求。
該接口符合USB 2．0協(xié)議，在計算機上安裝驅動即可，使用簡單方便。
該接口具有體積小、運行可靠等特點，非常適合嵌入到存儲測試系統(tǒng)中，也可將接口與外部數(shù)據(jù)線做成一體，進一步減小測試系統(tǒng)體積。
評論