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        基于AVR單片機對熱敏電阻的溫度測量

        作者: 時間:2013-12-07 來源:網絡 收藏

        1 負溫 

        PSB型負溫由Co,Mn,Ni等過渡金屬元素的氧化物組成,經高溫燒成半陶瓷,利用半導體毫微米的精密加工工藝,采用玻璃管封裝,耐溫性好,可靠性高,反應速度快、靈敏度高。他采用軸向型結構,便于安裝,能承受更高溫度,且玻璃封裝耐高低溫(-50~350℃)。PT-25E2溫度阻值變化曲線圖如圖1所示。基于AVR單片機對熱敏電阻的溫度測量
        2 測溫原理
        電路如圖2所示,標準電阻Rp,熱敏電阻Rt,電容C1與三個引腳相連。其中PC0,PC1為一般普通IO引腳,CP1為捕獲觸發輸入引腳,可以設定上升沿觸發捕獲中斷。
        Rp為100 kΩ的精密電阻;Rt為100 kΩ精度為1%的熱敏電阻;C1為0.1μF的瓷片電容。基于AVR單片機對熱敏電阻的溫度測量

        其工作原理為:
        先將PC0,PC1,CP1都設為低電平輸出,使C1完全放電。
        接著將PC1,CP1設置為輸入狀態,PC0設為高電平輸出,通過Rp電阻對C1充電,同時啟動內部定時器從零開始計時。電容實際充電曲線如圖3所示,當C1上的電壓逐步升高到Vh,CP1檢測出電壓達到單片機高電平輸入門檻電壓時,將定時器計數值捕獲,從而測出從開始充電到CP1轉變為高電平的時間Tp。
        再次將PC0,PC1,CP1都設為低電平輸出,使C1完全放電。
        隨后將PC0,CP1設置為輸人狀態,PC1設為高電平輸出,通過Rt電阻對C1充電,過程同上,得到時間Tt。基于AVR單片機對熱敏電阻的溫度測量

        通過單片機計算得到熱敏電阻Rt的阻值,并通過查表法可以得到溫度值。
        從上述可以看出,該測溫電路的誤差來源于這幾個方面:單片機的定時器精度,精密電阻Rp的精度,熱敏電阻Rt的精度,而與單片機的輸出電壓值、門檻電壓值、電容精度無關。因此,適當選取熱敏電阻Rt和精密電阻Rp的精度,單片機的工作頻率夠高,就可以得到較好的測溫精度。
        3 AVR捕獲
        本文以AVR系列中高性價比的ATmage88為例,利用16位時鐘單元T/C1的捕獲中斷來實現電容充電時間的測量,單片機時鐘選擇8 MHz。輸入捕獲單元方框圖如圖4所示。當引腳ICP1上的邏輯電平(事件)發生了變化,并且這個電平變化為邊沿檢測器所證實,輸入捕捉被激發:16位的TCNT1數據被復制到輸入捕捉寄存器ICR1,同時輸入捕捉標志位ICF1置位。如果此時ICIE1為1,輸入捕捉標志將產生輸入捕獲中斷。
        ATmega88在3.3 V供電時,當電容電壓上升到1.84 V時,如圖3所示,發生捕獲中斷。


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