提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

Void ChkFstPowerOnInfo(void);

? FlashWrite()用于寫Flash，傳遞的形參包括指向待寫入數據的指針，待寫入數據在子頁中的起始字節編號，寫入數據的長度，原型如下。

void FlashWrite( u8 *array, u8 startNum, u8 length );

? FlashErase()用于擦除Flash，傳遞的形參是子頁的編號，在擦除函數中需要根據子頁的編號判斷是否需要執行頁的擦除操作，原型如下。

void FlashErase(u8 seg_sn);

2.2.2 軟件流程圖

軟件啟動后，初始化模擬EEPROM流程圖描述如下。

調用API，向模擬EEPROM 寫入數據的軟件流程如圖五所示。在軟件處理中，要特別注意目標指針的切換和保證寫入數據的正確性，在代碼空間允許的情況下，可以增加一些校驗算法來保證。

采用劃分子頁的方案總結如下。

? 每次寫入模擬EEPROM的數據長度為定長，即為子頁的長度。

? 軟件需要定義一個存儲變量結構體，用于刷新和同步模擬EEPROM內容。在將數據寫入模擬EEPROM之前，程序員需要按照約定的數據格式，在內存中將所有的目標存儲變量進行整理。

? 在軟件處理上，需要計算當前寫入和下一次寫入的物理地址;在每一次執行寫入操作后，根據子頁長度大小，將指向子頁的目的操作指針自動累加。

? 待一個頁(Page)寫滿后，需要將最后更新的模擬EEPROM數據拷貝到下一個頁，再對寫滿頁執行一次擦除操作。

? 在嵌入式軟件處理上需加入合適的校驗機制，保證寫入數據的正確性并監測用于模擬EEPROM功能的Flash 子頁是否已經失效。

2.3 兩種方案的對比分析

兩種方案的對比分析見表二。

表二 兩種方案的對比分析