隨機存取存儲器

9.3.2 RAM的存儲單元
一、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單元電路
1．存儲單元
2．列選擇線Y和讀／寫控制電路
二、動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)的存儲單元電路

9.3.3 集成隨機存儲器2114A、2116介紹
一、集成靜態(tài)存儲器2114A
二、集成動態(tài)存儲器2116

9.3.4 RAM的擴展
一、RAM的位擴展
二、RAM的字擴展
三、RAM的字、位擴展

9.3 隨機存取存儲器
9.3.1 RAM的基本結構和工作原理
優(yōu)點：讀寫方便，使用靈活。
缺點：掉電丟失信息。

一、 RAM的結構和讀寫原理

9.3.2 RAM的存儲單元
一、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單元電路

1．存儲單元
存儲單元由V1～V6組成。兩個穩(wěn)定狀態(tài)，分別存儲數據1和0。
2．列選擇線Y和讀／寫控制電路
圖中V5、 V6為受列選擇線Y控制的門控管，G4、G5和三態(tài)門G1～G3構成讀／寫控制電路。
當列選擇線為低電子0時，V7、V8均截止，封鎖了存儲單元位線與輸入/輸出端的通路，使存儲單元的數據不能讀出，也不能被外信號改寫。當列選線為高電平1時，V7、V8導通，對存儲單元可進行讀/寫操作，由讀/寫控制電路和的狀態(tài)控制
二、動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)的存儲單元電路
動態(tài)存儲單元是由MOS管的柵極電容C和門控管組成的。數據以電荷的形式存儲在柵極電容上，電容上的電壓高表示存儲數據1；電容沒有儲存電荷，電壓為0，表明存儲數據0。因存在漏電，使電容存儲的信息不能長久保持，為防止信息丟失，就必須定時地給電容補充電荷，這種操作稱為“刷新”，由于要不斷地刷新，所以稱為動態(tài)存儲。
包括4管MOS動態(tài)存儲單元電路和單管MOS動態(tài)存儲單元等

9.3.3 集成隨機存儲器2114A、2116介紹
采用數字電路網絡課程或PowerPoint
一、集成靜態(tài)存儲器2114A

Intel2114A是單片1 K×4位（即有1 K個字，每個字4位）的靜態(tài)存儲器（SRAM），它是雙列直插18腳封裝器件，采用5V供電，與TTL電平完全兼容。

二、集成動態(tài)存儲器2116

Intel 2116單片16 K×1位動態(tài)存儲器（DRAM），是典型的單管動態(tài)存儲芯片。它是雙列直插16腳封裝器件，采用+12V和 5V三組電源供電，其邏輯電平與TTL兼容。

9.3.4 RAM的擴展 （采用數字電路網絡課程或PowerPoint并進行討論。）
當單片RAM不能滿足存儲容量的要求時，這時可把多個單片RAM進行組合，擴展成大容量存儲器。
一、RAM的位擴展

二、RAM的字擴展
字擴展就是把幾片相同RAM的數據線并接在一起作為共用輸入輸出端（即位不變），讀/寫控制線也接在一起，把地址線加以擴展，用擴展的地址線去控制各片RAM的片選線 。

三、RAM的字、位擴展
當RAM的位線和字線都需要擴展時，一般是先進行位擴展，然后再進行字擴展。