半導體存儲器

第9章 半導體存儲器
9.1 概述

9.2 只讀存儲器
9.2.1固定ROM的結構和工作原理
一、電路組成
二、讀數
9.2.2可編程只讀存儲器（PROM）
9.2.3可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）
9.2.4集成EPROM
（2716 EPROM）
9.2.5 EPROM的應用
作業：P287 9.1 9.2

第9章 半導體存儲器
9.1 概述
半導體存儲器以其容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長等特點，已廣泛應用于數字系統。
根據用途分為兩大類：
1、只讀存儲器 ROM。用于存放永久性的、不變的數據。
2、隨機存取存儲器RAM。用于存放一些臨時性的數據或中間結果，需要經常改變存儲內容。

9.2 只讀存儲器
9.2.1固定ROM的結構和工作原理
一、電路組成

它由一個二線―四線地址譯碼器和一個4×4的二極管存儲矩陣組成。
存儲矩陣由二極管或門組成，其輸出為D0～D3 。
為輸入的地址碼，可產生W0～W3 4個不同的地址，
W0～W3稱為字線，用以選擇存儲的內容，
D0～D3稱作位線。
在W0～W3中，任一輸出為高電平時，在D0～D3 4根線上輸出一組4位二進制代碼，每組代碼稱作一個字。

二、讀數
舉例分析ROM的存儲原理。

9.2.2可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器是一種用戶可直接向芯片寫入信息的存儲器，這樣的ROM稱為可編程ROM，簡稱PROM。向芯片寫入信息的過程稱為對存儲器芯片編程。
熔絲 見P273 圖9.2.2
9.2.3可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）
它允許對芯片進行反復改寫。
根據對芯片內容擦除方式的不同，可分為：
一、EPROM，紫外線擦除方式，數據可保持10年左右。
二、EEPROM（也寫作 PROM），電擦除可編程方式，速度快，數據可保持10年以上時間。

9.2.4集成EPROM（2716 EPROM）
P275 圖9.2.4（b）畫出了2716的引腳圖，各引腳的功能如下：
A10～A0：地址碼輸入端。
D7～D0：8位數據線。正常工作時為數據輸出端，編程時為寫入數據輸入端。
VCC和GND：＋5V工作電源和地。

9.2.5 EPROM的應用
實現組合邏輯函數的步驟：
（1）將函數化為標準與一或式
（2）確定存儲單元內容
（3）畫出用PROM實現的邏輯圖。