DS2433設計轉變為DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
加入技術交流群
| 注20： | 當TA升高時，有效的寫次數會降低。 |
| 注21： | 未進行100%生產測試；由可靠性抽樣監測保證。 |
影響：+25°C時，DS24B33至少是DS2433的4倍。未給出DS2433在+85°C時的使用壽命。
說明：該參數規定存儲器沒有重新寫入數據(刷新)時，能夠保持數據完整性的時間。通常情況下，數據保持時間遠遠大于所給定的最小值。
摘自DS2433數據資料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
沒有規定。
摘自DS24B33數據資料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
| At +85°C |
| 注22： | TA升高時，數據保持時間下降。 |
| 注23： | 短時間內，100%高溫生產測試保證；該生產測試等效于數據資料中的工作溫度范圍，這些數據是在可靠性測試中確定的。 |
| 注24： | 超出數據保持時間后，或許不能正常寫入EEPROM。不建議長時間儲存在高溫下，+125°C下儲存10年或+85°C下儲存40年后，器件可能喪失寫能力。 |
影響：DS24B33滿足當前工業標準。
- ROM功能“Resume”
說明：與許多新推出的1-Wire從器件一樣，DS24B33支持網絡功能命令Resume。一旦通過Match ROM、Search ROM或Overdrive Match ROM成功選中DS24B33，Resume命令即允許再次讀/寫相同器件，無需指定64位注冊碼。
影響：對于存在多個從器件的網絡，Resume能夠減輕多次讀/寫同一器件的通信開銷，例如，隨機讀取存儲器或更新存儲器數據。DS24B33支持該命令，DS2433則不支持該命令，所以應用中可據此在電氣特性上區分這兩個部件。 - 1-Wire前端
說明：前端是芯片內部支持訪問器件資源(例如存儲器)通信協議的電路。前端決定了在嘈雜環境下通信波形的定時容差和1-Wire從器件的性能。
影響：類似于多種新型1-Wire從器件，DS24B33前
評論