DS2433設計轉變為DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
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| 注6： | 首次加電時，數據引腳的電容可為800pF。如果使用5kΩ電阻將數據線上拉至VPUP，在向寄生電容加電后5μs將不影響正常通信。 |
摘自DS24B33數據資料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
| TA= -40°C to +85°C |
| 注5： | 首次施加VPUP時，數據引腳的電容為2500pF。如果使用2.2kΩ電阻上拉數據線，向寄生電容施加VPUP后15μs將不影響正常通信。 |
| 注6： | 僅由設計、特征參數和/或仿真保證，無生產測試。 |
影響：由于DS24B33需要的編程電流高于DS2433，它所要求的寄生供電電容明顯大于DS2433。由此降低了給定1-Wire主控制器能夠驅動的從器件數量。對于DS2433工作裕量很小的應用(低VPUP、高RPUP、短tREC)，可能不能使用DS24B33。
措施：為了解決DS24B33高輸入電容的問題，有必要選擇較低的1-Wire上拉電阻，或使用專用的1-Wire主控器件，例如DS2480B。對于低上拉電壓的應用，電阻上拉接口可能必須采用有源上拉驅動代替，例如DS2482。
工作條件變化
- 上拉電壓
說明：該參數規定1-Wire工作電壓。上限為1-Wire器件在沒有應力、無時間限制情況下IO引腳可承受的電壓。
摘自DS2433數據資料SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS NOTES VPUP TA= -40°C to +85°C 2.8 6 V 1 注1： VPUP= 外部上拉電壓。
摘自DS24B33數據資料SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS NOTES VPUP TA= -40°C to +85°C 2.8 5.25 V 2, 3 注2： 系統要求。<
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