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        兩種增強PFC段性能的方法

        作者: 時間:2012-02-13 來源:網絡 收藏

        對于較低功率的應用而言,臨界導電模式(CrM)(也稱作邊界、邊界線甚至是瞬態導電模式)通常是首選的控制技術。這種控制技術簡單,市場上有采用這種技術的不同的商用控制器,容易設計。然而,高輸入電壓時,如果輸入和輸出電壓之間的差距小,PFC段會變得不穩定。本文將說明解決這種問題的方法。PFC段一個更加常見的問題是通常發生在啟動時的大電流過沖,而不論采用的是何種控制技術。

          臨界導電模式工作

          臨界導電模式(CrM)工作是低功率應用中最常見的解決方案。這種控制方法可以采用可變頻率控制原理來描述特征,即電感電流先上升至所需線路電流的2倍,然后下降至零,接著再上升至正電流,期間沒有死區時間(dead-time),如圖1所示。這種控制方法需要電路精確地檢測電感的磁芯復位。

          

        兩種增強PFC段性能的方法

          圖1 臨界導電模式工作

          零電流檢測

          確定退磁完成的常見解決方案在于感測電感電壓,更具體地說,就是檢測電感電壓何時降至零。監測線圈電壓并非經濟的解決方案。相反,這升壓電感與小型繞組相關,這繞組(稱作“零電壓檢測器”或ZCD繞組)提供了電感電壓的一個縮小版本,能夠用于控制器上,如圖2所示。ZCD繞組采用耦合形式,因而它在MOSFET導電時間(反激配置)期間呈現出負電壓,如圖3中所示。這繞組提供:

          VAUX=-NVIN,當MOSFET導通時;

          VAUX=N(VOUT-VIN),當MOSFET開路時。

          其中,N是輔助繞組與主繞組之間的匝數比。

          

        NCP1607驅動的應用段典型應用示意圖

          圖2 NCP1607驅動的應用段典型應用示意圖

          當ZCD電壓(VAUX)開始下降時線圈電流會達到零。許多CrM控制器內部比較VAUX與接近0V的ZCD參考電壓,檢測出下降沿,并準時啟動下一個驅動信號。為了實現強固的工作,應用了磁滯機制,并實際上產生較高的(upper)閾值(VAUX上升時有效)及較低的(lower)閾值(VAUX下降時有效)。出于不同原因(如安森美半導體NCP1607 PFC控制器中的ZCD引腳的多功能性),在大多數商用器件中這些閾值都相對較高(在1V及2V之間)。

          例如,NCP1607數據表中可以發現下述的ZCD閾值規范(引腳5是監測ZCD信號的電路)。

          Vpin5上升:最低值為2.1V,典型值為2.3V,最大值為2.5V;

          Vpin5下降:最低值為1.5V,典型值為1.6V,最大值為1.8V。

          要恰當地檢測零電流,VAUX信號必須高于較高的閾值。

          

        兩種增強PFC段性能的方法

          圖3 波形

          極高輸入線路時的不精確零電流檢測

          圖4及圖5顯示出在高線路時會面對的一個問題。VAUX電壓在退磁相位期間較小,而這時Vin較高,因為VAUX與輸出輸入電壓差成正比VAUX=N(VOUT-VIN)。此外,如圖4所示,輸入電壓在開關頻率呈現出交流含量。因此,VAUX波形并不平坦,相反,它還包含紋波。在低線路時,這紋波可以忽略不計。在高線路時,VAUX幅度在退磁相位期間較小。因此,這些振蕩可能大到足以導致過早檢測電感磁芯復位。事實上,如圖4和圖5所示的那樣,零電流檢測的精度降低了。

          

        兩種增強PFC段性能的方法

          圖4 不精確零電流檢測導致的不穩定性

          

        兩種增強PFC段性能的方法

          圖5 連續導電模式工作

          圖4顯示出現不穩定性問題時高輸入線路(正弦波頂端,此處Vin約為380V)下的VAUX電壓。我們可以看到MOSFET關閉時,VAUX電壓輕微躍升至高于ZCD閾值。由于其大紋波的緣故,在退磁相位期間,VAUX電壓首先增加,然后下降。由于在某些開關周期的末段VAUX接近ZCD閾值,這VAUX電壓下降導致零電壓比較器在電感磁芯完全復位前就翻轉(trip)。圖5證實了這一論斷。有時,升壓二極管仍在導電時,PFC段開始新的周期。這個現象主要導致線路電流失真(見紅色跡線)、功率因數退化,并可能有一些頻率處在


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        關鍵詞: 增強PFC 性能

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