ADI針對基站和衛星通信的高線性度RF前端解決方案

在終端設備（如手機和PMP）越來越講究輕薄小巧的今天，單芯片RF（射頻）前端在終端應用市場上的前景越來越受到歡迎。可是，與數字電路不同，單芯片RF的高集成度常常是以犧牲性能為代價的，這也正是為什么無線終端產品可以采用單芯片RF前端，而像手機基站、衛星通信和點對點微波無線電設備這類對性能有很高要求的應用卻不采用單芯片RF前端的背后原因。

　　ADI公司RF和聯網元件部副總裁Peter Real表示：“我也可以像其他供應商那樣把所有的RF IC集成在一個芯片上，但其性能可能就不會太好。我們的策略是在保證性能的前提下盡量提高集成度。這也正是為什么ADI既可提供高集成度的單芯片收發器解決方案、高性能射頻功能模塊、又有覆蓋整個RF信號鏈的分立型RF IC的原因?！?/P>

　　目前，ADI公司覆蓋整個RF 信號鏈路的射頻IC產品包括：直接數字頻率合成器（DDS）、鎖相環合成器（PLL）、TruPwr功率檢波器以及對數放大器、X-AMP可變增益放大器（VGA）、功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）及其它射頻放大器、混頻器，以及直接變頻調制器與解調器產品。Peter Real強調指出：“ADI是唯一能提供可覆蓋整個RF信號鏈產品的公司?！?/P>

　　他說，ADI是全球PLL合成器和RF檢波器的市場領導者，我們開發出的業界首創和具有突破性的RF產品有：Gilbert Cell混頻器、TruPwr RMS功率檢波器、集成式PLL/VCO、X-AMP、寬帶混頻器。

　　ADF4350 是ADI最新推出的業界首款全集成的頻率合成器，內置片上VCO（壓控振蕩器）與PLL（鎖相環），可以工作在極寬的連續頻率范圍內，從137.5MHz 到4.4GHz。ADF4350頻率合成器是業界具有最低相位噪聲的寬帶合成器，支持小數N分頻和整數N分頻，可與ADI公司新款雙通道有源與無源混頻器配合使用，以實現高線性度的射頻前端，用于手機基站、衛星通信，以及點對點微波無線電設備。

　　Peter Real說：“ADF4350是業內唯一的同時支持所有2G和3G系統的集成式合成器，也是唯一實現小數N分頻工作模式的元件。它易于使用、靈活的輸出級可驅動有源和無源混頻器（差分或單端），無需緩沖放大器，這使得它可幫助客戶節省成本、電路板面積和元件數量，從而使客戶能開發出適用于多種應用的標準產品?！?/P>

　　ADF4350集成頻率合成器為設計工程師提供了單芯片的低相位噪聲解決方案，其它競爭方案則需要使用多達10個分立的VCO/PLL。ADI公司新款超寬帶、全集成頻率合成器中內置的VCO在2.1 GHz工作頻率、1 MHz偏移處的相位噪聲為–137 dBc/Hz，在137.5 MHz工作頻率、1 MHz偏移處的相位噪聲為-155 dBc/Hz，這相當于2.1 GHz頻率下的綜合均方根（RMS）相位誤差為0.36°，137.5 MHz頻率下的綜合均方根相位誤差為0.02°。ADF4350提供兩個射頻輸出端口，使用戶可對輸出功率電平進行數字編程。

　　與競爭產品不同，ADF4350支持整數N分頻與小數N分頻工作模式，允許用戶通過軟件控制方法確定最佳雜散與相位噪聲性能，從而實現最佳的性能，加速上市時間。

　　ADI 公司還推出了可與ADF4350相配合的一系列高集成度混頻器，如有源的ADL5802及無源的ADL5356、ADL5358與ADL5360，它們非常適合于組合起來實現各種通信應用，如WCDMA、TD-SCDMA、MC-GSM、LTE和WiMAX。這幾款雙通道分集混頻器擴展了ADI公司的主產品與分集產品系列，與ADF4350配合使用時，可提供高集成度的雙芯片分集下變頻解決方案，用于手機基站、衛星通信，以及點對點微波無線電設備。

　　ADL5802 寬帶有源器件可提供高線性度和適當的增益，并采用業界最小尺寸的封裝。ADL5802雙通道有源混頻器的IIP3（三階輸入交調截點）為27dBm，單邊帶噪聲系數為11dB，轉換功率增益為1.5 dB，采用4mm×4mm LFCSP封裝。對于高線性度應用來說，ADL5802在5V電源供電情況下功耗不足1W。ADL5802集成高線性度雙平衡有源混頻器內核和本振 （LO）緩沖放大器，可提供10 MHz ～ 6 GHz的寬動態范圍頻率轉換。同時還具備偏置調整特性，可通過單一控制引