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        基于LM3478的50W DCDC升降壓變換器設計方案

        作者: 時間:2012-07-23 來源:網絡 收藏

        引言

          現代電子技術發展很快,半導體供應商不斷推出新器件,從而推動電子應用工程師的不斷創新設計,以滿足市場的日益需求。本文介紹的即是基于客戶的需求,應用美國國家半導體公司的新型電流型PWM芯片L

        基于LM3478的50W DCDC升降壓變換器設計方案

          通常稱之為升降SEPIC的簡單原理如下:當SW開通時,加在L1,L2上的電壓均為Vin,此時Cp并在L2上,且有Cp上的電壓與L2上的相等。當SW關斷時,L1中的電流繼續沿著Cp、D1流向Cout輸出到

        基于LM3478的50W DCDC升降壓變換器設計方案

          該電路是基于SEPIC拓撲、應用芯片按照客戶的技術要求設計的。在該電路中,考慮到適配器的體積及儲能電感磁性材料的體積,選定工作頻率Fs=250KHz。

          計算儲能電感L3、L4的電感量及磁芯選擇

          首先由公式:D=Vout/(Vout+Vin)計算占空比。由于最嚴酷條件下的電感紋波電流是在最大輸入電壓下,所以D=12/(12+60)≈0.167。

          計算儲能電感l3、L4:正常情況下,L4的大小在確保最小負載電流下使電感電流連續,且輸出紋波滿足指標要求。為此,我們假定在20%最小負載電流下,允許有40%的峰-峰值紋波電流流過L4。

          C1、C2為輸入濾波,Q1、DZ1、DZ2、D1-1構成啟動電源,L3、L4為儲能電感,Q2為功率MOSFET,IC為PWM驅動芯片,R5為頻率調整電阻,C3、C4、R2為反饋補償,R3、R4為反饋分壓電阻,R7為過電流取樣電阻,C8、C9為SEPIC電容,R8、R9、C6、C7為吸收網絡,D2為輸出整流二極管,C10、C11、C12為輸出濾波電容。當然要想符合EMC要求,輸入端還應該有共模電感,差模電感,及X、Y等安規電容。

          L=Vdt/di;

          其中dt=1/FsD=1/(250103)0.167≈0.668,V為Vin在MOSFET開通時的值。因此,有如下計算:

          L4=60(0.66810-6/0.4)=100.2μH。取100μH的標稱值。由該SEPIC原理及設計經驗可知,作為倆個分離的儲能電感,L3的取值也為:100μH。

          由于該電感為儲能電感,因此,對磁性材料的選取要特別注意。此處選擇的材料為:Magnetic公司的Kool Mu,相同性能的材料,其他公司又稱鐵硅鋁。參數如下:

          料號:77381-A7,黑色

          尺寸:17.279.656.35(mm),為環型磁芯


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        關鍵詞: LM3478 DCDC 壓變換器

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