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        差分放大器的不匹配效應及其消除

        作者: 時間:2012-10-29 來源:網絡 收藏
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        公式

          

        由于寬度的增加而使長度不匹配減小

          式中:△L0是寬為W0的晶體管長度變化的統計值。等式表明,對于給定的W0,隨著n的增加,Leq的變化減小,如圖4所示。

          

        寬的MOSFET被看成窄器件的關聯

          上述結論也可以擴展到其他器件參數。例如,假定:器件面積增加,μCox與VTH有更小的失配。如圖5所示,理由是,大尺寸晶體管可以分解為寬長分別為W0和L0小單元晶體管的串并聯。其中,每個單元都呈現出(μCox)j與VTHj。對于給定的W0與L0,μCox與VTH經歷更大的平均過程,致使大尺寸晶體管之間的失配更小。

          

        大尺寸MOSFET可看成小尺寸器件的組合

          3 版圖方法減少失配

          針對電路設計中,特別是全差動電路中的不對稱而產生的電路失調,盡管有些失配是不可避免的,但是在版圖設計中,可通過器件對稱設計,使晶體管方面優化,對所關心的器件及周圍環境進行對稱性設計,盡量減少因工藝制造原理而引起的失配。

          如圖6(a)所示,如果兩個MOS管按圖6(b)那樣沿不同方法放置,由于在光刻及圓片加工的許多步驟中沿不同軸向的特性大不一樣,就會產生很大失配。因而圖6(c)和(d)的方案更合理一些。這兩者的選擇是由一種稱作“柵陰影”的細微效應決定的。

          

        版圖上的對稱性設計

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        關鍵詞: 差分 放大器 不匹配效應

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