BluGlass通過RPCVD技術減少GaN膜生長雜質

　　知名且獨立的材料特性公司Evans Analytical Group采用了二次離子光譜學予以證明，BluGlass的技術可以將碳、氫和氧雜質的水平控制在每立方厘米為1*1017個原子以下。

　　現在BluGlass計劃對p-GaN層進行優化，并將RPCVD的優點介紹給顧客，包括該技術跟傳統的MOCVD 相比所獲得的LED設備效率的提高。

　　BluGlass的CEO Giles Bourne說：“這一成果對于我們公司來說是一個突破，也是給業界和未來顧客證明我們技術實力的關鍵一步。眾所周知，碳和氧抑制了RPCVD技術的障礙，所以這兩種雜質的降低將是一個重要的發現。