硅頻率控制器(SFC)技術(一) 作者： 時間：2013-09-22 來源：網(wǎng)絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> : 0px; MARGIN: 0px 0px 20px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/25px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; orphans: 2; widows: 2; webkit-text-size-adjust: auto; webkit-text-stroke-width: 0px"> 負載電容精度變化引起頻率的變化：這個因素往往容易被忽視。在晶體的應用中有兩種工作模式，串行振蕩模式和并行振蕩模式。由于并行模式設計靈活并且有很高的輸出精度，現(xiàn)在已成為市場主流。圖2是并行振蕩模式的等效電路圖： 上一頁 1 2 下一頁
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