低功耗6管SRAM單元設計方案
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表1中可以看出，在傳統的6T-sRAM讀/寫過程中，對稱結構的兩個位線電壓的變化是一致的，因而功耗是相同的。新型6T-SRAM單元功耗比傳統單元低了很多，這是因為在讀/寫操作的時候，參與工作的管子數量少，并且只有一個位線參與工作，并且在寫0的時候，由于位線是0，所以功耗很低。
2.4 讀/寫仿真
為了進一步驗證新型6T-SRAM讀/寫功能的正確性，以及與傳統6T-SRAM單元的比較，采用HSpice對兩種管子進行了讀/寫仿真。如圖4-圖7所示。
新型6T-SRAM存儲單元的讀/寫仿真表明，單個存儲單元的讀/寫時間在0.2 ns內，符合存儲器在高速狀態下運行的需要。
3 結語
該SRAM單元是在0.18μm工藝下仿真的，新型SRAM采用漏電流保持技術，從而不需要刷新來維持數據，并且仿真顯示功耗比較傳統SRAM低了很多，讀/寫速度方面比傳統SRAM慢了一點，但是這是在可以接受的范圍內。
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