過去一年出現的LED照明十大關鍵技術盤點(一)

　　最有威脅的挑戰無疑來自硅襯底，2012年1月12日，歐司朗宣傳在150mm的硅片上成功長出GaN的外延，切成1mm2在350mA下亮度可以達到140lm，該項目是德國聯邦教育和研究部資助的“硅上氮化鎵”專案的一部分。

　　而東芝的動作就更快一步，2012年12月中，原來并不涉足封裝的東芝直接開賣LED，而芯片正是采用與美國普瑞（Bridgelux）合作的在8吋硅基板上生長的LED芯片。東芝共發布了四款現行產品的規格書，包括一款色溫3000K，一款色溫4000K及兩款色溫5000K的LED產品。其中在典型正向電壓為2.9V時，350mA驅動色溫5000K，顯色指數為70的型號為TL1F1-NW0的LED，光效達到110lm/W。

　　圖片來源：OSRAM

　　圖片來源：TOSHIBA

　　中國廠商晶能光電經過多年在硅襯底領域的耕耘，在2012年推出的發光效率超過120lm/W硅基大功率LED芯片產品，這對渴望自主知識產權的國產芯片是一個極大的利好消息。

　　在中國工信部公布的2012年第十二屆資訊產業重大技術發明評選結果中，晶能光電（江西）有限公司《硅襯底氮化鎵基LED材料及大功率芯片技術》專案被評為資訊產業重大技術發明，并納入《電子資訊產業發展基金專案指南》，享受國家電子資訊產業發展基金專案資金扶持。

　　而GaN基同質外延也并不示弱，在2012年7月3日，首爾半導體全球首次發布了“npola”，單顆亮度達到500lm，中村修二博士專程去首爾去為發布會站臺。而中村博士參與創辦的SORAA公司更是以前瞻性的GaN-on-GaN LED技術獲得了美國DOE下屬的能源轉換機構ARPA-E（Advanced Research Projects Agency - Energy）的資助。

　　而CREE在所謂SC3這種新一代技術平臺下，連續推出多款刷新業界光效的量產LED產品，12月更推出XLamp系列MK-R在1W和25°C溫度的條件下，可提供高達200 lm/W的發光效率。再次提振SiC襯底LED在光效競賽中綜合實力排頭地位。

　　非藍寶石襯底方案，不僅僅是一次次為產業界所共同關注，各國政府也都將之作為重要的基礎研究而納入政策視野，入選十大理所當然。

　　資料來源：Seoul Semiconductor

　　資料來源：Soraa