淺談功率半導體的技術與未來產業(yè)發(fā)展（二）

　　BCD技術的眾多特殊要求適應了不同的應用需要，產業(yè)發(fā)展的現狀也證明不存在“通用”的BCD技術規(guī)范，按照工藝特點，BCD技術可以分為高壓BCD、大功率BCD、高集成度BCD等。高壓BCD主要用于PDP等要求高耐壓（100V以上）但工作電流不大的領域，大功率BCD主要用于自動控制等要求大電流、中等電壓（50V左右）的領域，高集成度BCD則主要用于需要與CMOS非易失性存儲電路工藝兼容的領域。根據系統(tǒng)應用電壓的不同，也可以將基于BCD工藝的功率集成電路分為三類：100V以下，100V-300V及300V以上。100V以下的產品種類最多，應用最廣泛，包括DC-DC轉換、LCD顯示驅動、背光LED顯示驅動、PoE、CAN和LIN等。100V-300V的產品主要是PDP顯示驅動和電機驅動等。300V以上的產品主要是半橋/全橋驅動、AC/DC電源轉換和高壓照明LED驅動等。

　　BCD工藝正向高壓、高功率、高密度方向發(fā)展，2003年意法半導體引入了采用0.18/0.15？m的體硅BCD8工藝；2006年日本Renesas公司報道了0.25？m的SOIBCD工藝；2009年東芝公司推出了60V0.13？m的體硅BCD工藝，可應用于高效DC－DC的電源管理和SoC的單片集成；1200V的BCD技術也已在Fairchild完成。

　　除硅基和SOI功率集成技術在不斷發(fā)展外，GaN功率集成在近兩年也受到國際關注。GaN智能功率技術將實現傳統(tǒng)硅功率芯片技術所不能達到的工作安全性、工作速度及高溫承受能力。2009年香港科技大學率先報道了單片集成功率晶體管和功率整流器的GaNBoost轉換器，并在此基礎上開發(fā)出GaN智能功率集成技術平臺雛形。由于GaN電力電子器件可基于硅襯底進行研制，因此異質集成有可能成為GaN功率半導體的研究熱點

　　在國內，在“02專項”的支持下，HHNEC、華潤上華、上海宏力和杭州士蘭微等單位開展了40V－600V高壓BCD工藝技術研發(fā)，較好地支撐了國內功率IC的發(fā)展，但與FLASH等存儲工藝兼容的高密度BCD工藝平臺目前尚屬空白。