新聞中心

        EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > 電源管理芯片中高性能放大器的研究

        電源管理芯片中高性能放大器的研究

        作者: 時間:2013-11-07 來源:網絡 收藏
        基于 以 上 目的,本文設計了一種可應用于芯片的大電流、恒定增益、寬電源電壓的CMOS運算,輸入級采用恒定跨導互補式差分輸入結構,輸出級采用帶有米勒補償的前饋AB類輸出結構,使輸入和輸出擺幅都達到了軌對軌,最后,結合UMC 0.6um雙多晶雙金屬BCD工藝進行了運放的版圖設計。HSPICE的仿真結果表明,該可以在4.5-8V的電源電壓下穩定的工作,具有121dB的開環增益,18M的單位增益帶寬,上升和下降的擺率分別為13.7V/us和14.2V/us,典型值為90dB的電源抑制比,以及600的相位裕度,滿足了芯片對的性能參數的要求,具有比較重要的應用價值。
        電源管理芯片中高性能放大器的研究

        電子管相關文章:電子管原理




        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 红桥区| 新蔡县| 黔东| 锡林浩特市| 分宜县| 阜宁县| 曲水县| 阿合奇县| 横峰县| 余庆县| 奎屯市| 公安县| 郴州市| 沙坪坝区| 岐山县| 富民县| 榕江县| 革吉县| 思南县| 荥经县| 浏阳市| 昌图县| 鸡泽县| 咸阳市| 安远县| 黔南| 会同县| 哈尔滨市| 延庆县| 南漳县| 开鲁县| 东平县| 洛南县| 抚宁县| 昌乐县| 谷城县| 灌阳县| 扶风县| 太白县| 长武县| 长寿区|