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        電源管理芯片中高性能放大器的研究

        作者: 時間:2013-11-07 來源:網絡 收藏
        基于 以 上 目的,本文設計了一種可應用于芯片的大電流、恒定增益、寬電源電壓的CMOS運算,輸入級采用恒定跨導互補式差分輸入結構,輸出級采用帶有米勒補償的前饋AB類輸出結構,使輸入和輸出擺幅都達到了軌對軌,最后,結合UMC 0.6um雙多晶雙金屬BCD工藝進行了運放的版圖設計。HSPICE的仿真結果表明,該可以在4.5-8V的電源電壓下穩定的工作,具有121dB的開環增益,18M的單位增益帶寬,上升和下降的擺率分別為13.7V/us和14.2V/us,典型值為90dB的電源抑制比,以及600的相位裕度,滿足了芯片對的性能參數的要求,具有比較重要的應用價值。
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