綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

　 　飛兆半導體充分利用其高端工藝和前沿封裝技術，不斷推出高性能半導體產(chǎn)品，積極應對功率管理挑戰(zhàn)，以優(yōu)化電源、便攜式、照明、電機、計算以及消費應用產(chǎn) 品的能效。飛兆推出的超級結MOSFET，采用先進制造工藝降低EPI電阻，解決了HV MOSFET中RDS（ON）的主要影響因素。超級結MOSFET技術能夠有效隔離導電區(qū)域與電壓阻斷區(qū)域，在導通狀態(tài)下，重摻雜外延區(qū)域可確保導通電阻 足夠低；在關斷狀態(tài)下，夾斷導電區(qū)域，充當電壓持續(xù)層，可謂是突破硅限制的超級MOSFET。超級結MOSFET優(yōu)勢明顯，在較低的輸出電容（Eoss） 可獲得輕載條件下較高的效率；較高的體二極管耐用性和較小的反向恢復電荷（Qrr）能為諧振轉換器提供更可靠的系統(tǒng)。

　　飛兆半導體 MOSFET技術開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示，在超級節(jié)（Super-junction）結構中，通過增加N-epi摻雜濃度可以實現(xiàn)較低電阻而不犧牲擊穿電壓，因為在表面p- well下增加了p-pillar。這對于既有的平面MOSFET來說是不可能的，因為摻雜濃度的增加會降低擊穿電壓。

　　飛兆的超級節(jié)產(chǎn)品（SuperFET? MOSFET， SupreMOS? MOSFET）采用控制良好的工藝來制造。因此，在保持穩(wěn)定的工藝、保持高性能和高品質的同時獲得具有較低RDS（ON） 和導通狀態(tài)電阻的產(chǎn)品。

　　SupreMOS MOSFET是第一個商業(yè)應用的超級節(jié)產(chǎn)品之一，它使用了基于飛兆先進工藝成功推出的溝道技術。相比競爭產(chǎn)品，SuperFET MOSFET具有高的dv/dt強度。

　　創(chuàng)新技術--高性能功率晶體管 SiC BJT

　 　為了實現(xiàn)更高的功率密度，滿足嚴格的能效規(guī)則和系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和電力電子設計人員正在挑戰(zhàn)他們自己，以便在他們的設計中降低功率損耗并改進 可靠性。然而，這些在比如可再生能源、工業(yè)電機驅動、高密度電源、汽車和高溫工業(yè)鉆探等應用設計中的努力會使他們的設計復雜化并導致整體系統(tǒng)成本更高。為 了幫助設計師滿足這些挑戰(zhàn)，在創(chuàng)新的高性能功率晶體管技術方面，隨著可理想適用于功率轉換系統(tǒng)的碳化硅（silicon carbide，SiC）技術解決方案的推出，飛兆半導體擴大了它的領導地位。

　　通過在它的產(chǎn)品組合中推出基于SiC的產(chǎn)品，飛兆在創(chuàng)新 的、高性能功率晶體管技術方面加強了它的產(chǎn)品領導力。在飛兆的SiC產(chǎn)品組合中，第一個推出的產(chǎn)品系列是先進的SiC雙極結型晶體管（bipolar junction transistors，BJT），可提供高效、大電流密度、穩(wěn)健性、和高溫工作的能力。通過采用格外有效的晶體管，飛兆的SiC BJT實現(xiàn)了更高的開關頻率，因為其具有更低的導通和開關損耗（范圍從30 - 50%），在相同的系統(tǒng)外形尺寸下提供了多達40%的更高輸出功率。

　　這些穩(wěn)健的BJT使用了更小的電感、電容和散熱器，能夠降低總體系統(tǒng)成本達20%。由于具備更高效率和卓越的短路能力和反向偏壓安全工作區(qū)域，在優(yōu)化大功率變換應用的電源管理中，這些行業(yè)領先的SiC BJT將起到至關重要的作用。