綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

　 　飛兆半導體充分利用其高端工藝和前沿封裝技術，不斷推出高性能半導體產品，積極應對功率管理挑戰，以優化電源、便攜式、照明、電機、計算以及消費應用產 品的能效。飛兆推出的超級結MOSFET，采用先進制造工藝降低EPI電阻，解決了HV MOSFET中RDS（ON）的主要影響因素。超級結MOSFET技術能夠有效隔離導電區域與電壓阻斷區域，在導通狀態下，重摻雜外延區域可確保導通電阻 足夠低；在關斷狀態下，夾斷導電區域，充當電壓持續層，可謂是突破硅限制的超級MOSFET。超級結MOSFET優勢明顯，在較低的輸出電容（Eoss） 可獲得輕載條件下較高的效率；較高的體二極管耐用性和較小的反向恢復電荷（Qrr）能為諧振轉換器提供更可靠的系統。

　　飛兆半導體 MOSFET技術開發工程師Jaegil Lee先生表示，在超級節（Super-junction）結構中，通過增加N-epi摻雜濃度可以實現較低電阻而不犧牲擊穿電壓，因為在表面p- well下增加了p-pillar。這對于既有的平面MOSFET來說是不可能的，因為摻雜濃度的增加會降低擊穿電壓。

　　飛兆的超級節產品（SuperFET? MOSFET， SupreMOS? MOSFET）采用控制良好的工藝來制造。因此，在保持穩定的工藝、保持高性能和高品質的同時獲得具有較低RDS（ON） 和導通狀態電阻的產品。

　　SupreMOS MOSFET是第一個商業應用的超級節產品之一，它使用了基于飛兆先進工藝成功推出的溝道技術。相比競爭產品，SuperFET MOSFET具有高的dv/dt強度。

　　創新技術--高性能功率晶體管 SiC BJT

　 　為了實現更高的功率密度，滿足嚴格的能效規則和系統正常運行時間要求，工業和電力電子設計人員正在挑戰他們自己，以便在他們的設計中降低功率損耗并改進 可靠性。然而，這些在比如可再生能源、工業電機驅動、高密度電源、汽車和高溫工業鉆探等應用設計中的努力會使他們的設計復雜化并導致整體系統成本更高。為 了幫助設計師滿足這些挑戰，在創新的高性能功率晶體管技術方面，隨著可理想適用于功率轉換系統的碳化硅（silicon carbide，SiC）技術解決方案的推出，飛兆半導體擴大了它的領導地位。

　　通過在它的產品組合中推出基于SiC的產品，飛兆在創新 的、高性能功率晶體管技術方面加強了它的產品領導力。在飛兆的SiC產品組合中，第一個推出的產品系列是先進的SiC雙極結型晶體管（bipolar junction transistors，BJT），可提供高效、大電流密度、穩健性、和高溫工作的能力。通過采用格外有效的晶體管，飛兆的SiC BJT實現了更高的開關頻率，因為其具有更低的導通和開關損耗（范圍從30 - 50%），在相同的系統外形尺寸下提供了多達40%的更高輸出功率。

　　這些穩健的BJT使用了更小的電感、電容和散熱器，能夠降低總體系統成本達20%。由于具備更高效率和卓越的短路能力和反向偏壓安全工作區域，在優化大功率變換應用的電源管理中，這些行業領先的SiC BJT將起到至關重要的作用。