得益于PMIC的功能漸強，移動設備續航能力見增

　　封包追蹤技術的目標，在于改善功率放大器承載較高波峰平均功率比訊號的效率。要在有限的頻譜資源內提供高資料處理能力，必須使用有著較高波峰平均功耗比的線性模組。很不幸的是，傳統電壓源固定的功率放大器，在這些情況下運轉時效率都較低。在封包追蹤的功率放大器中，可藉由改變功率放大器供應電壓，與無線頻率訊號的封包同步，進而改善其效率。

　　節省電路板空間　PMIC整合音訊晶片

　　OEM也面臨節省電路板空間的壓力，他們必須釋放出更多的面積以容納新功能，同時還要維持裝置的輕薄短小并降低成本。針對這些目標，三維（3D）封裝或是晶片堆疊技術的使用能產生優勢。一般而言，晶片堆疊是利用低密度接線或焊錫凸塊連接不同堆疊層。業界在單一封裝中整合或堆疊完全可配置PMIC及低功耗音訊編解碼晶片（Audio CODEC），在單晶片上整合超過四十個不同高低電壓的電路及類比功能，大幅節省電路板空間及成本。

　　不只節省空間，業界音訊編解碼晶片還能為消費裝置提供理想的音訊效能。藉由在數位訊號處理器（DSP）內整合先進回音消除軟體，音訊編解碼晶片能過濾背景雜音并增加聲音清晰度，如此一來，即使是在吵雜的環境中也能提供豐富、低頻及高清晰的頻率。

　　除晶片堆疊技術外，未來業界將看見其他節省電路板空間新技術。其中一種技術是3D整合，是透過直通矽晶穿孔（Through-Silicon Via， TSV）連接不同電路層，TSV較為密集且能提供更強大的連接能力，可以跨越更多層并節省更多電力。3D整合一開始是被用來封裝高速記憶體及SoC，用來為繪圖功能提供更優異的頻寬，而它現在絕對是未來值得被好好觀察的領域。

　　輕薄特色恐引發高漏電流

　　行動裝置尺寸愈趨輕薄短小，但卻裝入比以往更多功能。更細小的元件尺寸可能會引發高漏電流的危險性，這是短通道效應及不同的摻雜水平所致，而這最終會讓產業無法朝更小的尺寸邁進。

　　此外，新堆疊材料的出現例如高介電常數金屬閘極（HKMG），以及鰭式場效電晶體（FinFET）此類完全空乏型電晶體（Fully Depleted Transistor）。現在的FinFET是3D結構，在平面基板上升起，相較于同樣面積的平面閘，FinFET可以提供更大的容量。通道周圍的閘門能提供優秀的通路控制，如此一來，當元件處于斷開狀態時，能通過主體的漏電流就微乎其微。這讓低臨界電壓值的使用可行，以實現最佳切換速度及功率。

　　還有許多其他有潛力的技術藍圖。例如，戴樂格（Dialog）與臺積電共同合作最先進的0.13微米（μm）Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）技術，用于在小型單晶片電源管理晶片中整合先進邏輯、類比及高電壓元件，以支援下世代的智慧型手機、平板電腦及Ultrabook。

　　BCD制程技術代表驅動半導體產業各領域，包括應用端、設計及制程持續前進的創新力量。此技術在同一片晶圓上結合類比Bipolar（B）元件、互補金屬氧化物半導體（CMOS）以及雙重擴散金屬氧化物半導體（Double Diffused Metal Oxide Semiconductors， DMOS）。系統設計師采用此技術，減少功率損失、電路板空間及成本。該技術有助于制造更好、更小及更創新的產品。同時，由于現在的BCD技術是以6寸晶圓制造，晶圓廠能讓他們幾乎折舊完畢的產線得以繼續貢獻生產力，如此能減少終端客戶的成本并產生利潤，或是能擁有投資其他新興技術的更多空間。

　　直流對直流（DC-DC）電源轉換器是現今電源管理積體電路的基礎元件。業界專利的TIPS（Transformative Integrated Power Solutions）技術采用一種以交換電容技術為基礎的獨特轉換方法。該項技術允許使用較小的導電元件，除提升效率之外，并且可以達到比競爭技術更高的整體電源密度，為可攜式和資料中心應用提供顯著的優勢。

　　電源管理決定品牌成敗

　　根據產業預測，行動運算裝置需求正持續增加。行動裝置正從個人資訊裝置進化為行動運算平臺，對日常需求扮演愈來愈重要的角色。與此同時，電源效能正迅速成為這個時代的關鍵問題。智慧型手機使用者若高度滿意手機電池壽命，相較于不滿意的使用者，前者再次購買同品牌手機的可能性較高。在高度滿意手機電池壽命（在10分量表中選擇10分）的4G智慧型手機擁有者中，有將近25%的人表示「一定」會再次購買來自同一家制造商的手機。相較于此，在較不滿意