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硅片級可靠性測試詳解

作者：時間：2013-11-30 來源：網絡

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OTTOM: 0px; WIDOWS: 2; TEXT-TRANSFORM: none; TEXT-INDENT: 0px; MARGIN: 0px 0px 20px; PADDING-LEFT: 0px; PADDING-RIGHT: 0px; FONT: 14px/25px 宋體, arial; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">　　已有的研究表明，天線比越大，等離子損傷越厲害。所以對于每種情況（金屬、多晶體硅、通孔等），我們要通過評價，最后給出一個結果，說明在多少的天線比以下是安全的，供電路設計工程師參考。這也是設計規則檢查（design rule check，DRC）的一部分。

　　除了以上說提到的這些測試項目以外，還有氧化層中可動離子的測試也是目前非常關注的一個項目。

　　結語

　　隨著工藝改進速度的不斷加快，硅片級可靠性的重要性越來越被體現出來。它可以快速的反映出工藝條件的變化對可靠性的影響，把可靠性整合在工藝開發的整個過程當中。本文在分析硅片級可靠性測試的重要性的基礎上，介紹了硅片級可靠性所涉及的各個項目。同時，對各個項目的測試和評價方法也做了詳細的分析。通過對硅片級可靠性測試的現狀分析可以看出，其測試方法、測試速度及準確性等方面還需要不斷改善和提高。

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