藍牙/IGBT/802.11p全面爆發

藍牙4.0超越過往 三大操作系統支持飛速發展

　　微軟、蘋果等操作系統早已經原生支持藍牙4.0，谷歌也于近日發布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技術。這意味著藍牙4.0得到了蘋果、谷歌、微軟為代表的三大操作系統的支持。鑒于Android高達70%的市場份額，它的原生支持將使得藍牙4.0迎來更大的市場空間。“藍牙產品總出貨量已經超過90億，而每年均有近20億藍牙設備進入市場。今年預計25億的出貨量。”Bluetooth SIG開發者計劃總監何根飛表示。

　　基于藍牙4.0 技術的藍牙智能應用配件的增長態勢將非常可觀。數據預測，2013年搭載藍牙4.0的配件總出貨量將達2.2億部，2014年達5億部，2018年則超過11億部。2013-2014年將是藍牙4.0增速最快的階段。

　　FinFET點燃晶圓代工廠戰火 主流廠商加速導入

　　目前英特爾（Intel）是唯一完成FinFET制程技術實作的制造商。該公司自2012年初即采用自有的第一代22奈米FinFET技術，生產IvyBridge CPU。未來幾年內，愈來愈多頂尖IC設計業者將擴大投資并導入FinFET技術，以制造更先進的智慧型手機和平板應用處理器。為因應客戶需求，臺積電、格羅方德（GLOBALFOUNDRIES） 與三星（Samsung）等主要晶圓代工廠已積極排定FinFET量產時程，最快可望于2013年第三季開始試產FinFET制程，準備好投入量產則將在 2014年第三季以后。屆時，IC設計業者與晶圓代工廠合作下，將推出以FinFET技術為基礎的應用處理器，與IDM業者共同角逐市場商機。

　　第三代半導體材料成本大幅降低 功率應用潛力巨大

　　未來第三代半導體的發展趨勢主要具備以下幾方面特征：半導體照明將側重于降低成本和向更廣闊的市場拓展；由國防推動的射頻領域應用需要更高的功率密度以實現降低成本；功率應用有著最大的增長潛力，例如，600V及以上的器件需求量潛力較大，但其研發仍需攻關。

　　日本在過去的兩年中發展方向有所轉變，很多公司轉向成為專門生產GaN的企業。發生轉變的原因主要包括：600V-1200V功率器件已成為規模最大的市場，而GaN在這一區間內有著十分優異的表現；在SiC基底上生長GaN技術的進步使得GaN功率器件的成本大幅度降低；企業只需通過對現有設備進行調整便可實現生產的轉型和升級。

　　導入TSV制程技術 模擬芯片邁向3D堆疊架構

　　類比積體電路設計將進入三維晶片（3D IC）時代。在數位晶片開發商成功量產3D IC方案后，類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產線，期透過矽穿孔（TSV）與立體堆疊技術，在單一封裝內整合采用不同制程生產的異質類比元件，以提升包括電源晶片、感測器與無線射頻（RF）等各種類比方案效能。奧地利微電子執行副總裁Thomas Riener表示，導致印刷電路板（PCB）空間愈來愈不夠用，且系統設計難度也與日俱增，因此類比晶片制程技術勢必須有全新的突破，才能克服此一技術挑戰。目前類比晶片在3D IC領域的發展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠與晶片業者正大舉投入TSV技術研發，讓此一技術愈來愈成熟，將引領類比晶片邁向新的技術里程碑。

　　新能源應用加持IGBT市場商機無限

　　在2011-2012年IGBT市場少許反常性的下跌后，Yole分析師預期今年市場已回歸穩定成長腳步，具體而言，市場規模預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。

　　IGBT在電動車/動力混合汽車（ EV/HEV），再生能源（ Renewable Energies），電機驅動器（ Motor Drive），不間斷電動力系統 （UPS）及交通上的應用是市場成長的動力來源。如今，對高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍處于發展及改善階段：更薄的晶圓，更高效率的生產，功能整合等等。因此，Yole認為IGBT市場絕沒有進入彌留之際或是衰退期，IGBT市場的商機無限。

　　中國或再調關稅 加大面板業扶持力度