TDK5110與TlDA5220的無線溫度采集系統
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其中，CL表示晶振的負載電容；CSW是FSK開關的對地電容，包括了布線時的分布電容，一般可以3 pF計入；對于13．56 MHz的晶振，R=100 Ω；L=4．6μH。該電路是通過外接的Cv1、Cv2值改變晶振負載電容來實現頻率變化的。當FSKDTA=0，開關閉合，Cv2和CSW都被短路，Cv1和L構成等效負載電容；當開關打開時，CSW、Cv2都計入回路，Cv1、CSW、Cv2和L構成等效負載電容。晶振振蕩頻率與負載電容之間的關系為：
其中：
CL為晶體振蕩在中心頻率f時所要求的負載電容。
C0、C1為晶振內部等效電容值。
f'=32f，為晶振振蕩在中心頻率f時的發射頻率。
△f為想要實現的距離晶振中心振蕩頻率的頻偏。
當采用TDK5110推薦的NX6035SA晶振時，f=13．568 75 MHz，C0=1．5 pF，C1=5．8 pF，CL=12 pF。
假設為實現“O”的發射△f，計算得到CL0值。但由于芯片內部等效電感的存在，需要修正Cv1值，此時開關閉合，所以修正式子：本文引用地址：http://www.104case.com/article/202512.htm
其中ω0為發射“0”時晶振振蕩角頻率。
得到：
在晶振f=13．568 75 MHz時，芯片等效電感L=4．6μH，所以計算可得Cv1=10 pF。
同樣實現“1”的發射△f，計算得到CL1值為此時晶振回路中Cv2和CSW并聯后再與Cv1、L串聯后的等效電容值。即
其中ω1為發射“1”時晶振振蕩角頻率。
計算得到
從中可以看出，在Cv1不變情況下，增大Cv2的取值可以減小表示“1”的發送信號頻率；在Cv2不變的情況下，增大Cv1也可以減小發射頻率。
本設計采用FSK調制模式，其時序圖如圖3所示，根據此時序圖，發射端單片機選擇Atmel公司的AT89C52，用單片機的控制口PO．1、P0．2分別作為發射芯片的FSKDTA和ASKDTA進行數據的調制控制。根據前面計算，設計發射芯片部分電路如圖4所示。
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