LPDDR6內存標準正式發布

JEDEC 固態技術協會發布 JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數據速率 6（LPDDR6）標準。JESD209-6 旨在顯著提升多種應用場景（包括移動設備和人工智能）的內存速度與效率。JEDEC 稱，新版 JESD209-6 LPDDR6 標準是內存技術的重大進步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能

為支持人工智能應用及其他高性能工作負載，LPDDR6 采用雙子通道架構，在保持 32 字節小訪問粒度的同時實現靈活操作。此外，LPDDR6 的主要特性還包括：

• 每顆芯片含 2 個子通道，每個子通道有 12 條數據信號線（DQs），以優化通道性能。

• 每個子通道包含 4 條命令 / 地址（CA）信號，經優化減少焊球數量并提高數據訪問速度。

• 靜態效率模式，旨在支持大容量內存配置并最大化存儲體資源利用率。

• 靈活的數據訪問，支持實時突發長度控制，可實現 32B 和 64B 訪問。

• 動態寫入 NT-ODT（非目標片上終端），使內存能根據工作負載需求調整 ODT，提升信號完整性。

能效

為滿足不斷增長的能效需求，與 LPDDR5 相比，LPDDR6 采用更低電壓和低功耗的 VDD2 供電，并強制要求 VDD2 采用雙電源設計。其他節能特性包括：

• 采用交替時鐘命令輸入，提升性能與效率。

• 低功耗動態電壓頻率調節（DVFSL），在低頻運行時降低 VDD2 電壓，減少功耗。

• 動態效率模式，在低功耗、低帶寬場景下采用單子通道接口。

• 支持部分自刷新和主動刷新，降低刷新功耗。

安全性與可靠性

相較于上一版本標準，安全性和可靠性方面的改進包括：

• 每行激活計數（PRAC），支持 DRAM 數據完整性。

• 定義隔離元模式，通過為關鍵任務分配特定內存區域，提升整體系統可靠性。

• 支持可編程鏈路保護方案和片上糾錯碼（ECC）。

• 能夠支持命令/ 地址（CA）奇偶校驗、錯誤清理以及內存內置自測試（MBIST），增強錯誤檢測能力和系統可靠性。

日前，三星電子設備解決方案（DS）部門副董事長全永鉉宣布，三星將于今年下半年通過第六代「1c DRAM」工藝量產下一代 LPDDR6 內存，并計劃向高通等科技巨頭供貨。

據悉，1c DRAM 是 DRAM 制造的第六代工藝節點，相比前代技術，其晶體管密度更高、能效比更優。三星通過「設計變更」戰略，將 1c DRAM 的冷態良率提升至 50%，熱態良率達 60%-70%，并計劃在韓國華城工廠建設新生產線，擴大產能。LPDDR6 內存基于 1c 工藝開發，帶寬和功耗表現顯著提升，可滿足 AI 模型訓練、移動終端算力升級等場景對內存性能的嚴苛需求。

據行業消息，高通下一代旗艦芯片「驍龍 8 Elite Gen2」將首發支持 LPDDR6 內存，并計劃于今年 9 月 23 日的驍龍峰會上亮相。

隨著 AI 應用向終端設備下沉，LPDDR6 內存的帶寬與能效成為關鍵競爭力。三星計劃通過向高通等廠商供貨，進一步滲透智能手機、筆記本電腦及 AI 服務器市場，強化其技術壁壘。此外，三星還在 HBM4 等高端存儲產品中部署 1c DRAM 技術，構建覆蓋 AI 全場景的內存解決方案。

目前，三星已制定 1c DRAM 擴產計劃，預計最早于今年年底完成韓國華城工廠生產線建設。此外，該公司正同步開發 DDR 與 LPDDR 用 1c DRAM，打破傳統開發順序，加速商業化進程。

LPDDR6 將取代現有的 LPDDR5 內存及其衍生版本，而 LPDDR5 標準早在 2019 年就已經發布。距離 LPDDR5 標準問世已有將近五年時間，在這段時間里，三星和美光推出了 LPDDR5x，SK 海力士也推出了 LPDDR5T，其傳輸速率高達 9.6 Gbps。這些低功耗的 DRAM 內存非常適合智能手機、輕薄型設備甚至筆記本電腦 / 迷你臺式機等強調低功耗的設備。

采用 LPDDR5 (X / T) 規格的內存模組正越來越多地出現在各種產品中。例如，LPCAMM2 模組憑借其小巧的模塊化外形尺寸、更大的容量和更高的可升級性，將徹底改變 PC 內存市場。

此外，最近上市的 LPCAMM2 模組采用了 LPDDR5 (X / T) 的變種，由于其小巧的模塊化外形尺寸，能夠提供更大的容量和可升級性，將改變 PC 市場格局。