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        【案例集錦】功率放大器在半導體光電子器件測試領域研究中的應用

        作者: 時間:2025-06-19 來源:安泰電子 收藏

        在 5G 通信、智能駕駛、物聯網飛速發展的今天,半導體光電器件是實現光電信號轉                  換與信息傳遞的核心元件,其性能優劣直接決定設備的功能與可靠性。正因如此,半導體光電器件測試成為貫穿研發、生產與質檢全流程的 “守門人”。        

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202506/471441.htm

        關于光電子器件

        光電子器件           是一類基于半導體材料光電效應等物理機制,實現光信號與電信號相互轉換的電子器件。當光線照射半導體材料時,電子吸收光子能量產生電子 - 空穴對,從而改變材料電學特性;反之,通過施加電信號也能激發半導體發光。        


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        分類: 發光器件、光探測器件、光顯示器件、光存儲器件等

        應用: 可廣泛應用于 顯示屏、照明燈、遙控器、掃描儀、光纖通信 等眾多領域

        應用案例分享

        由于信號發生器輸出的信號功率有限,難以滿足光電子器件測試對高壓信號的需求,此時就需要介入。能夠將信號發生器輸出的信號進行放大,在保信號頻率和波形特性的前提下,大幅提升信號的電壓幅度和輸出功率,最終輸出頻率、幅度可變的交流高壓信號 。

        Aigtek作為國內專業從事等測量儀器研發、生產和銷售的高科技企業,在領域有著深入研究,本次我們整理了部分過往方向的實驗案例,希望能對從事半導體光電子器件領域研究的工程師們有所幫助。

        POWER AMPLIFIER

        ▼ 功率放大器在非載流子注入micro-LED 驅動 中的應用

        功率放大器在驅動非載流子注入micro-LED上的應用.png

        本實驗 制備了一種絕緣層為氧化鋁的非載流子注入micro-LED器件,采用信號發生器產生交流信號,并通過ATA-1220E功率放大器放大輸出,驅動非載流子注入micro-LED。實現了非載流子注入micro-LED的寬電壓工作窗口。

        ▼ 高壓放大器在量子點顯示器的發光MOS結研究中的應用

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        為了避免亞微米級別發光像素之間的電學串擾和多層功能層之間的精確對準,本實驗 提出了一種基于量子點的發光MOS結構。我們通過測量器件的光電特性,例如電壓-頻率-發光強度特性,電壓-頻率-發光光譜特性等,分析了載流子輸運行為,并揭示了器件的工作機制。

        ▼ 高壓放大器 在量子點薄膜的非接觸無損原位檢測中的應用

        量子點薄膜的非接觸無損原位檢測.jpg

        量子點薄膜作為核心功能層,在發光二極管、顯示器等多種光電器件中起著關鍵作用。量子點薄膜厚度的不均勻性必然會影響器件的整體光電特性。然而,傳統的方法很難在不引入額外損傷的情況下快速獲得其厚度分布的相關信息。本實驗提出了一種非接觸式無損檢測量子點薄膜厚度的方法。在高電場作用下,量子點薄膜會發生光致發光猝滅現象,這與量子點薄膜的厚度以及施加的電壓大小有關。

        ▼ 高壓放大器 在自供電光電器件高壓檢測研究 中的應用

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        本實驗 提出了一種抗干擾能力強的自供電高壓監測器件,即麥克斯韋位移電流驅動發光二極管(MDC-LED)所產生的光信號判斷高壓信號的變化。通過仿真與實驗證明了MDC-LED可以重組電力線附近的電場,產生近似均勻的電場,具有很強的抗干擾能力。

        ▼ 功率放大器在μLED器件光電特性研究中的應用


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        本實驗 依據非導體接觸式μLED模型,制備出相應的器件。其次是針對這種新型結構的μLED,研究其在交流信號驅動下的頻率-電壓、電流-電壓,發光強度等光電特性。



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