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        普萊信Clip Bond封裝整線設備,獲功率半導體國際巨頭海外工廠訂單

        作者: 時間:2025-06-16 來源: 收藏


        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202506/471368.htm

        據悉,在高端Clip封裝設備領域長期由少數國際巨頭把持的局面下,近期,中國半導體裝備制造商普萊信實現了重大突破,普萊信Clip Bond封裝整線設備(涵蓋高精度固晶機、夾焊機及在線式真空爐)獲功率半導體國際巨頭海外工廠的訂單,該產品線此前已成功導入國內多家頭部功率器件大廠的核心量產線。國產高端Clip Bond封裝整線設備首次實現規?;隹?,這一里程碑事件,驗證了普萊信技術滿足大電流功率器件的嚴苛封裝要求,并具備國際競爭力。

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        Clip封裝:大電流時代的必然選擇

        在電動汽車、工業電機、數據中心及高功率快充等領域的強勁需求推動下,功率半導體器件正朝著更高電流密度、更高功率密度、更高可靠性及更低熱阻的方向飛速演進。傳統引線鍵合(Wire Bonding)技術因其金屬線固有的電阻高、載流能力有限、熱管理瓶頸及潛在的引線斷裂/脫焊風險,已成為制約中高功率器件(如IGBT模塊、SiC MOSFET模塊)性能提升的關鍵障礙。

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        Clip (Copper Lead-frame Interconnect Package,銅帶引線框架互連封裝) 工藝應運而生,其核心創新在于摒棄易受限的金屬線,采用扁平、寬厚的銅帶(Clip)直接連接芯片(Die)頂部與外部引線框架或基板。這一結構性變革帶來了顛覆性優勢:

        1.電流承載能力躍升:銅帶截面積遠超金屬線,顯著降低電阻,提升電流承載能力(可達傳統線鍵合的5-10倍),滿足高功率模塊的嚴苛需求。

        2.熱阻大幅降低:銅帶提供了高效、低熱阻的散熱路徑,能快速將芯片產生的巨大熱量傳導至基板或散熱器,極大提升器件可靠性和壽命。

        3.電感最小化:扁平互連結構比弧形金屬線具有更低的寄生電感,提升器件在高頻開關(尤其在SiC/GaN應用中)的性能和效率。

        4.封裝體積優化:銅帶結構緊湊,有助于實現更小型化、更高功率密度的模塊設計。

        正是這些不可替代的優勢,使Clip工藝迅速成為大電流、高功率密度IGBT、SiC MOSFET模塊封裝的標準解決方案。

        市場格局與設備挑戰:效率、精度與成本

        英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、三菱電機(Mitsubishi Electric)、富士電機(Fuji Electric)、美臺(DIODES)等國際巨頭在高端功率模塊市場占據主導,其Clip產線對設備的性能和穩定性要求極其苛刻。國內市場上斯達半導、比亞迪半導體、中車時代電氣、華潤微等中國廠商正加速布局高性能功率芯片,對具備量產能力的先進Clip封裝設備需求迫切。面對大規模量產,市場對Clip設備的核心要求聚焦于:

        1.高效率:滿足汽車等領域的巨大產能需求。

        2.高精度與一致性:確保銅帶精準放置、焊接可靠(尤其是點膠/焊膏控制),直接影響模塊的電流承載能力和長期可靠性。

        3.低綜合運行成本:降低耗材(如密封圈)、氣體(如氮氣)消耗和維護成本。

        4.穩定性與良率:解決工藝痛點(如“炸錫”),保障連續生產。

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        贏得海內外頂級客戶青睞,源于其精準解決了Clip量產中的核心痛點

        一、為高功率量產而生:兼容性與效率雙優

        普萊信整線支持8英寸及12英寸晶圓尺寸,滿足當前及下一代功率芯片大規模生產的需求。其設備架構深度優化,被客戶驗證具備行業領先的高精度、高效率與兼容性,為功率模塊的規模化、低成本制造提供了強大裝備支撐。

        二、精密點膠:大電流可靠性的基石

        銅帶與芯片間的底部填充/粘接材料(如燒結銀膏、環氧膠)的涂布精度和一致性,直接決定了互連界面的熱阻、電阻及長期可靠性。普萊信創新采用可配置多點膠系統(最多6頭),其核心價值在于每個點膠頭均可實現獨立閉環控制的超高精度膠量輸出。這種設計確保了在高速生產下,點膠位置、形狀和體積的極致精準與均勻,徹底杜絕因點膠不良(缺膠、溢膠)導致的局部熱點或連接失效風險,為大電流承載的穩定性保駕護航。

        三、真空爐革命:可靠性躍升與成本銳減

        真空回流焊接是確保銅帶與芯片形成高強度、低空洞率互連的關鍵步驟,也是傳統產線的“成本與良率洼地”。普萊信的在線式真空爐實現了顛覆性創新:

        1.超長壽命密封:核心密封部件壽命從行業普遍的1-2周,革命性提升至6個月以上,極大減少停機維護和備件成本,提升設備綜合利用率(OEE)。

        2.根治“炸錫”頑疾:通過創新的熱場控制與壓力管理,有效抑制了焊料飛濺(“炸錫”),顯著提升焊接良率和模塊絕緣可靠性。

        3.氮氣消耗大幅降低:優化的流場設計與密封技術,實現氮氣消耗量顯著下降,直接降低客戶長期運行成本。

        4.無縫在線集成:與前后道設備流暢對接,提升整線自動化水平和生產效率。

        未來展望:Clip工藝與第三代半導體的共舞

        隨著800V高壓平臺電動車普及及SiC/GaN器件滲透率加速提升,對功率模塊的電流密度、開關頻率、工作溫度及可靠性要求將達到前所未有的高度。Clip封裝作為承載這些器件的首選工藝,其設備必須向更高精度、更高效率、更強穩定性和更低綜合成本(CoO)持續進化。

        普萊信智能Clip整線成功打入國際頂級客戶供應鏈,不僅是中國高端半導體裝備能力的有力證明,更彰顯了其技術在滿足未來大電流、高可靠性封裝需求上的前瞻性。其在大尺寸晶圓支持、精密點膠控制、高可靠低耗真空焊接等方面的突破,直指功率半導體封裝升級的核心訴求。對于致力于在激烈市場競爭中構建性能與成本雙重優勢的功率器件廠商而言,具備整線交付能力和顯著降本增效價值的國產高端裝備,正成為其提升核心競爭力的戰略選擇。普萊信的突破,標志著在決定功率半導體性能的關鍵封裝工藝領域,中國高端裝備已具備與國際領先者同臺競技的實力,并為全球功率電子產業的發展注入了新的動能。



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