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        優化效率:探索有源鉗位正激轉換器的二次整流電路設計和占空比的作用

        作者: 時間:2025-04-22 來源:ADI 收藏

        利用P通道MOS進行鉗位,是公認的高效率電源拓撲。該設計支持將儲存的電感能量反饋到電網,從而提高整體轉換器效率。為了進一步提高效率,該設計還集成了基于MOSFET的二次自整流電路。本文探討了面臨的設計難題,強調了優化的重要性。值得注意的是,中采用了廣泛的電源技術,本文僅介紹了其中一種。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202504/469651.htm

        對于(ACFC),是一個關鍵參數,會影響輸出電壓和效率。通常,正激轉換器的最大以50%為限。采用有源鉗位技術,占空比可以高于50%,超越傳統設計的限制。有許多文章都說明了最大占空比與ACFC拓撲之間的關系,但討論如何設計最小占空比的文章并不多。

        本文以隔離式ACFC電源為例,闡述最小占空比對設計的影響。該轉換器用于將輸入24 VAC或48 ~ 60 VDC,轉化為15VDC,1.5 A輸出。其隔離特性使其適合為現場工業應用供電。ACFC拓撲幫助實現了高達91%的峰值效率。設計要求如表1所示。

        表1.設計要求

        參數

        符號

        最小值

        最大值

        輸入電壓

        VINDC

        27.8 VDC   (≈ 24 × 85% × √2-1)

        60 VDC

        VINAC

        20.4 VAC   (≈ 24 × 85%)

        41.8 VAC

        開關頻率

        350 kHz

        峰值頻率

        η

        高于88%

        占空比

        D

        0.22

        0.46

        輸出電壓

        VOUT

        14.85

        15.15

        輸出電壓紋波

        ΔVOUT

        300 mV

        輸出電流

        IOUT

        0 A

        1.5 A

        輸出功率

        POUT

        22.5 W

        ADI公司的MAX17598是有源鉗位電流模式PWM控制器,其中包含隔離正激轉換器電源設計所需的所有控制電路。本文深入探討了二次自整流電路設計的考慮因素和評估結果。

        二次自整流電路的設計考慮

        ACFC通過使用自整流電路,實現了更高的效率。圖1為基于MOSFET的典型自整流電路原理圖。與傳統的二極管整流電路相比,MOSFET的導通電阻更低,所以其電路效率更高,尤其是在低電壓、大電流輸出的情況下。

        圖片.png 


        圖1.通用輸出自整流電路1

        然而,當輸出電壓接近或超過MOSFET柵極電壓工作范圍時,這個設計就不合適了。我們可以通過附加電路來產生這些MOSFET的柵極驅動電壓。圖2為該電路的細節信息。G1和G2連接到變壓器的輔助繞組。

        柵極1連接到N2的柵極(如圖1所示),柵極2連接到N1的柵極。柵極1和柵極2與開關周期同步。當柵極1輸出高電平時,柵極2輸出低電平,反之亦然。完整電路如圖3所示。

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        圖2.輔助繞組變壓器中的柵極驅動電路

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        圖3.性能測試使用的示例電路

        該環路必須確保輸出處于MOSFET VGS的工作范圍內。公式1反映了柵極驅動電壓與匝數比之間的關系。

        圖片.png


        KGATE為變壓器比率。NG為變壓器繞組的匝數。NP為變壓器初級繞組的匝數。VGATE_MAX為MOSFET柵極驅動電壓的最大電壓。VDC_MAX為直流輸入電壓的最大電壓。圖片.png

        當初級環路的主開關閉合時,施加于變壓器的電壓為正,即VDC。因此,柵極1的輸出為高電平,柵極2的輸出為GND。它與匝數比和直流輸入電壓有關。


        當主MOSFET關斷時,鉗位電路將漏極電壓限制為VCLAMP。VCLAMP高于VDC,因此柵極1的輸出為GND,而柵極2的輸出為高電平。

        鉗位電壓可通過下式計算:


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        柵極2的電壓與匝數比以及VCLAMP和VDCINPUT之間的差距有關。

        圖片.png

        占空比會隨輸入電壓而變化,因此必須確保柵極的驅動電壓能夠以完整的VIN范圍驅動MOSFET。應用最大直流輸入和最小導通率時,柵極驅動電壓將達到最小值。

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        在設計示例中,柵極2最低電壓可依照式5進行計算。當輸入直流電壓達到最大值時,柵極2上的電壓只有4.23 V。

        如果該電壓低于VGS導通閾值,則的MOSFET將無法準確工作。這可能導致當輸入電壓接近最大值時,電源在沒有任何負載的情況下無法啟動。在示例電路中,VGS閾值電壓為3 V,小于計算出的最小VGATE2。

        圖4為示例電路的測量結果。CH1為柵極1的電壓。CH2為柵極2的電壓。CH4為主面N-MOS的源漏電壓。

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        圖4.柵極1和柵極2電壓以及MOSFET漏極電壓(VIN = 60 V)

        示例電路的性能

        為了驗證柵極驅動電路計算的準確性,我們對示例電路進行了性能測試。圖5為不同負載電流(0A、0.5A、1A、1.5A)下的輸入和輸出電壓。

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        圖5.不同負載下的輸入和輸出電壓

        圖6顯示了輸出電壓水平如何隨輸出電流不同而變化。不同的線表示不同的輸入電壓。

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        圖6.輸出電流和輸出電壓

        圖7為不同輸入電壓和負載下的峰值效率。當輸入為36 V、輸出為1.5 A時,峰值效率達到91%。

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        圖7.峰值效率

        波特圖顯示了峰值效率工作條件下的環路穩定性,即VDCINPUT = 36 V、IOUTPUT = 1.5 A。

        圖8顯示了環路響應。

        圖片.png

        圖8.波特圖

        圖9和圖10顯示了輸出峰峰值電壓。圖9是無負載電流的情況,圖10是滿負載的情況。

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        圖9.空載時輸出峰峰值電壓

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        圖10.滿負載1.5 A時輸出峰峰值電壓

        圖11和12顯示了負載瞬態響應。圖11為負載從零變為滿負載。圖12為負載從滿負載變為零。CH1測量的是輸出電壓(交流耦合)。CH2測量的是輸出負載電流。

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        圖11.瞬態響應(0 A至1.5 A)

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        圖12.瞬態響應(1.5 A至0 A)

        結論

        綜上所述,對ACFC的研究讓我們對其性能和效率有了重要認識。通過分析的設計以及占空比的影響,我們發現,當需要額外的輔助柵極驅動電路時,最小占空比會受到限制。

        此外,ACFC憑借其出色的能量回收特性,成為了有前景的高效電源系統解決方案。通過本文可知,占空比存在一個最佳范圍。也就是說,最大占空比和最小占空比對于基于MOSFET的整流電路都很重要。

        將本研究的成果應用于設計和實施ACFC,有助于避免設計階段出現問題。

        參考文獻

        1 “利用峰值電流模式控制器設計有源鉗位正激轉換器”。ADI公司,2014年8月。



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