英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告

手機心臟的"烤"驗戰(zhàn)場

5G手機主板局部溫度突破95℃（快充芯片/射頻前端/圖像處理器區(qū)域）

"當你的手機：

邊快充邊玩《悟空》時 →電感溫度飆升至110℃

4K視頻連續(xù)拍攝時 →電感持續(xù)工作在85℃+

地鐵刷劇1小時后→主板形成局部高溫區(qū)

傳統(tǒng)電感正在經歷材料疲勞的隱形崩塌..."

1.實驗標準對比（嚴于車載產品標準）

2.實驗前后形態(tài)對比(產品內、外部無開裂情形）

3、性能驗證：同規(guī)格產品與某臺系規(guī)格參數比對試驗后平均降幅小

●   L值測試設備：Keysight E4980A LCR表（精度0.05%）

●   DCR值測試設備：Keysight E4980A LCR表（精度0.05%）

vs

4、技術解析：為何能通過地獄級考驗？

① 材料革命

160℃高溫測試材料磁導率變化曲線:（250H~1000H材料變化率低）

② 成型工藝對比

英麥科-液態(tài)等靜壓成型工藝

全方位溫度壓力控制：

外層/核心層：200℃快速固化→形成保護殼，消除內應力

VS

臺系品牌-機械模壓成型工藝

傳統(tǒng)機械式模壓

成型壓力：6噸、20噸、30噸、60噸

單顆產品受力約400~500kg,受模具影響，

產品受力不均，線圈易變形，且居中度不佳

③ 材料對比

英麥科—耐高溫介質材料

玻璃化轉變溫度（Tg）：280℃（競品180℃）

熱膨脹系數（CTE）：2.8ppm/℃（競品5.5ppm/℃）

VS

其他品牌——常規(guī)材料，磷化工藝搭配樹脂混合使用

可靠性提升公式

MTBF(XX) = e^(ΔT/10) × MTBF(常規(guī))

（ΔT=驗證溫差35℃ → 理論壽命提升32倍）