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        電子堆疊新技術造出多層芯片

        作者: 時間:2024-12-20 來源:SEMI 收藏

        據科技日報消息,近日,美國麻省理工學院團隊在最新一期《自然》雜志上介紹了一種創新的技術。該技術能顯著增加芯片上的晶體管數量,從而推動人工智能(AI)硬件發展更加高效。通過這種新方法,團隊成功制造出了,其中高質量半導體材料層交替生長,直接疊加在一起。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202412/465672.htm

        據悉,工程師們開發了一種新的設計方案,摒棄了對硅基板的依賴,并確保操作溫度保持在較低水平以保護底層電路。這種方法允許高性能晶體設計方案,摒棄了對硅基板的依賴,并確保操作溫度保持在較低水平以保護底層電路。這種方法允許高性能晶管、內存以及邏輯元件可以在任何隨機晶體表面上構建,而不再局限于傳統的硅基底。使各半導體層之間可以更直接地接觸,進而改善層間通信質量與速度,提升計算性能。

        這項技術有望用于制造筆記本電腦、可穿戴設備中的AI硬件,其速度和功能性將媲美當前的超級計算機,并具備與實體數據中心相匹配的數據存儲能力。這項突破為半導體行業帶來了巨大潛力,使芯片能夠超越傳統限制進行堆疊,極大提升了人工智能、邏輯運算及內存應用的計算能力。



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