瑞薩完成對Transphorm的收購

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”）近日宣布，已于2024年6月20日完成對氮化鎵（GaN）功率半導體全球供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）的收購。隨著收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供基于GaN的功率產品和相關參考設計，以滿足對寬禁帶（WBG）半導體產品日益增長的需求。

與傳統的硅基器件相比，GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料具有出色的功率效率、更高的開關頻率和較小的占用空間，因此被視為下一代功率半導體的關鍵技術。受電動汽車（EV）、變頻器、數據中心服務器、人工智能（AI）、可再生能源、工業電源轉換和消費應用等需求的推動，GaN和SiC產品預計在未來十年內都將快速增長。

Chris Allexandre, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“通過集成兩家公司技術的交鑰匙參考設計，客戶可以立即從新的GaN產品中受益。將GaN添加到我們的產品陣容中也加強了我們致力于開發讓人們的生活更輕松的產品和技術的承諾。提供強大且可持續的電源解決方案，節省能源、降低成本并最大限度地減少對環境的影響，正是我們實現這一目標的途徑。”

投資電源業務是瑞薩實現可持續長期增長戰略的重要組成部分。瑞薩近期為鞏固這一細分市場而采取的其他舉措包括：開設專門生產電源產品的300mm晶圓廠甲府工廠；在高崎工廠增加一條新的SiC生產線；并與Wolfspeed達成協議，確保未來10年SiC晶圓的穩定供應。隨著GaN技術現已成為瑞薩產品陣容的一部分，瑞薩準備提供更全面的電源解決方案，以滿足廣泛應用領域客戶不斷變化的需求。

在完成收購Transphorm的同一天，瑞薩推出了15款全新成功產品組合，這些可立即投入市場的參考設計將新的GaN產品與瑞薩的嵌入式處理、電源、連接和模擬產品相結合。其中包括將Transphorm的汽車級GaN技術，用于車載電池充電器以及電動汽車的三合一動力系統解決方案。

Transphorm成立于2007年，總部位于美國加利福尼亞州戈利塔，源自加州大學圣巴巴拉分校和寬緊帶行業，以獨特的技術創新為基礎。Transphorm是GaN半導體領域的創新者，設計、制造和銷售高性能、高可靠性的GaN電源產品，廣泛適用于各種高壓電源轉換應用。