為何晶振并聯一個1MΩ電阻？晶振低溫不起振如何解決？

無源晶振并聯一個1MΩ電阻電路圖

本文引用地址：http://www.104case.com/article/202404/457295.htm

問題描述：

在一些方案中，晶振并聯1MΩ電阻時，程序運行正常，而在沒有1MΩ電阻的情況下，程序運行有滯后及無法運行現象發生。

原因分析：

在無源晶振應用方案中，兩個外接電容能夠微調晶振產生的時鐘頻率。而并聯1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當發生程序啟動慢或不運行時，建議給晶振并聯1MΩ的電阻。

這個1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區, 以獲得增益, 在飽和區不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡而言之，并聯1M電阻增加了電路中的負性阻抗（-R），即提升了增益，縮短了晶振起振時間，達到了晶振起振更容易之目的。

換一種說法，假設電路中無任何的擾動信號，晶振不可能起振。實際上反相門電路中許多電路不加這個電阻也能起振，因為一般的電路都有擾動信號，但有個別的反相門電路不加這個電阻就不能起振，因為擾動信號強度不夠。

需要指出的是，在低溫環境下振蕩電路阻抗也會發生變化，當阻抗增加到一定程度時，晶振就會發生起振困難或不起振現象。這時，我們也需要給晶振并聯1MΩ電阻，建議為了增加振蕩電路穩定性，給晶振同時串聯一個100Ω的電阻，這樣可以減少晶振的頻率偏移程度。

注：并聯電阻不能太小，串聯電阻不能太大。否則，在溫度較低的情況下不易起振。