X-FAB宣布升級其襯底耦合分析工具，將BCD-on-SOI工藝納入其中

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，擴展其SubstrateXtractor工具應用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝開發的工具，新增了其對XT018 180nm BCD-on-SOI工藝的支持，作為Bulk CMOS工藝外的一項補充。通過使用新的SubstrateXtractor升級版本，可以加速SOI相關的產品開發，避免多次迭代。

最初的SubstrateXtractor由X-FAB與EDA合作伙伴PN Solutions（基于其廣泛使用的PNAware產品）合作開發，于2019年發布。利用這一工具，客戶能夠解決半導體襯底內有源和無源元件間相互作用所造成的耦合問題（無論這些元件作為電路本身的一部分，還是以寄生方式存在）---其所帶來的顯著優勢使客戶的項目能夠更迅速地進入市場。PN Solutions的PNAwareRC工具支持SOI工藝，由此進一步增強了平臺的功能并擴大了其吸引力。

圖為X-FAB工程師正在使用襯底耦合分析工具

X-FAB的XT018工藝BOX/DTI功能可以將芯片上的組成功能模塊相互隔離，適用于需要與數字模塊去耦合的敏感模擬模塊，或必須與高壓驅動電路隔離的低噪聲放大器。此工藝也使得多通道的設計實現更加容易，因為XT018中的電路被有效地放置在其自身獨立的襯底中，從而減少了串擾。

在基于SOI的集成電路中，利用SubstrateXtractor實現襯底耦合分析的能力對于客戶來說極具價值。雖然SOI工藝中的有源部分可以通過BOX和DTI完全介電隔離，有源部分被隔離之后就如同各自孤立一般，但無源R和C耦合仍然可能存在。得益于這一升級版新工具，可以為DTI和BOX產生的橫向和縱向耦合路徑提取無源RC網絡，并經由對無源耦合網絡的仿真，評估它們對集成電路的影響。此類新增的版圖后抽取寄生的關鍵應用，包括工業及汽車系統中使用的大電流和高電壓器件等。

“消除襯底耦合是一項具有挑戰性的任務。通過支持對我們XT018 BCD-on-SOI工藝相關的寄生元素的提取，客戶將能夠模擬電路模塊的耦合，并識別對性能不利的干擾因素。”X-FAB設計支持總監Lars Bergmann表示，“在涉及非常大的干擾電壓或在個位數GHz范圍內的高頻情況下，這一功能擴展將極具意義。”

縮略語：

BOX   埋入式氧化物

BCD   Bipolar CMOS DMOS

DTI   深槽隔離

EDA   電子設計自動化

RC   電阻-電容

SOI   絕緣體上硅