EPC公司的40 V eGaNFET是需要高功率密度的電信、網通和計算解決方案的理想器件

EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場效應晶體管 （eGaN^? FET），器件型號為EPC2067，專為設計人員而設。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應用。

宜普電源轉換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領導者。新推的EPC2067（典型值為 1.3 mΩ、40 V）擴大了可選的低壓器件，可立即供貨。

EPC2067非常適合需要高功率密度的應用，包括48 V-54 V輸入服務器。較低的柵極電荷和零反向恢復損耗可實現1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在9.3 mm² 的微小占位面積內，實現高功率密度。

EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow 表示：“EPC2067器件專為從40 V-60 V轉至12 V的LLC DC/DC轉換器的次級側而設計。與上一代40 V的GaN FET相比，這款40 V器件具有更高的性能和成本效益，從而讓設計師可以在更低的成本下，實現更高的效率和功率密度”。

開發板

EPC90138開發板的最大器件電壓為40 V、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅動器的半橋器件，采用了EPC2067 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的電路板專為實現最佳開關性能而設計，并包含所有關鍵元件，讓工程師易于評估EPC2067器件。

一個1,000顆的卷盤的EPC2067的單價為2.69美元。