新聞中心

        EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > 基于eGaNFET的50 W、12 V/60 V升壓轉換器,為筆記本電腦和PC顯示器背光提供高效、簡單和低成本的解決方案

        基于eGaNFET的50 W、12 V/60 V升壓轉換器,為筆記本電腦和PC顯示器背光提供高效、簡單和低成本的解決方案

        —— 50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉換器采用簡單、低成本的拓撲結構,可實現 95.3%的峰值效率和低溫升
        作者: 時間:2021-10-21 來源:電子產品世界 收藏

        宜普電源轉換公司(EPC)近日宣布推出雙向降壓或反向升壓轉換器演示板(EPC9162)。該演示板用于同步轉換器時采用100 V的EPC2052器件,以及用于同步自舉FET電路時,采用EPC2038器件。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202110/428972.htm

        EPC9162預設作為升壓轉換器,其輸入電壓為12 V、輸出為60 V/50 W。但是,該板也可以作為降壓轉換器,其輸入電壓為48 V、輸出為12 V/60 W。eGaN FET的快速開關顯著降低了開關損耗,從而實現更高的工作效率。為了讓電源供電設計人員能夠輕松復制此設計,EPC網站上提供該電路板的所有相關設計資源,包括原理圖、材料清單和 Gerber文檔。

        1634785364867519.jpg

        盡管eGaN FET的尺寸很小,但從12 V轉到60 V/0.85 A的峰值效率為95.3%,輕負載效率為86%,溫升僅為40°C。

        宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow說:“對于輕負載效率至關重要的應用來說,例如筆記本電腦和顯示器的LED背光,eGaN FET的低開關損耗可實現高效且極低的溫升以防止設備過熱。同步升壓拓撲為電源系統設計人員提供一種簡單且低成本的解決方案。”

        宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵(eGaN?)的功率管理器件的領先供貨商,氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基于eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。



        關鍵詞:

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 时尚| 永川市| 英吉沙县| 富阳市| 普陀区| 黄石市| 宿州市| 米泉市| 高平市| 睢宁县| 团风县| 宜章县| 宝兴县| 梁平县| 宜阳县| 新干县| 茶陵县| 乌拉特后旗| 邢台县| 丘北县| 武穴市| 卢龙县| 德州市| 伊春市| 襄垣县| 宣恩县| 房山区| 荆门市| 江达县| 丰城市| 鹤山市| 留坝县| 车致| 宝山区| 平阴县| 巴青县| 黄陵县| 韩城市| 日喀则市| 大荔县| 九龙坡区|