EPC擴大了 40 V eGaNFET的產品陳容，新產品是高功率密度電信、網通和計算解決方案的理想器件

EPC 推出了 40 V、1.6 m?的氮化鎵場效應晶體管 （eGaN^? FET），器件型號為EPC2069，專為設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應用。

宜普電源轉換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領導者。新推的EPC2069（典型值為 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低壓器件，可立即供貨。

EPC2069 非常適合需要高功率密度的應用，包括48 V-54 V輸入服務器。較低的柵極電荷和零反向恢復損耗可實現1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm² 的微小占位面積內，實現高功率密度。EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解決方案，范圍從 500 W 到 2 kW，效率超過98%。在初級側和次級側使用氮化鎵（eGaN）器件可實現超過4000 W/in³ 的最大功率密度。

EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow 表示：“EPC2069器件專為從40 V–60 V轉至12 V的LLC DC/DC轉換器的次級側而設計，目前非常普遍用于48 V–54 V輸入的服務器，以應對人工智能和游戲等高密度計算應用所需。與上一代40 V GaN FET相比，這款40 V器件的尺寸更小、寄生電感更小和成本更低，從而讓設計師實現更高的性能和成本效益”。

EPC90139開發板的最大器件電壓為40 V 、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅動器的半橋器件，采用了EPC2069 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。電路板專為實現最佳開關性能而設計，包含所有關鍵組件，讓工程師易于評估EPC2069。

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵（eGaN^?）的功率管理器件的領先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。eGaN^? 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。