英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊，助力提升功率密度和實現更緊湊的設計

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置， EasyDUAL 1B封裝的導通電阻（R DS(on)）為11 mΩ，EasyDUAL 2B封裝的導通電阻（R DS(on)）為6 mΩ。升級為高性能AIN后，該1200 V器件適合用于高功率密度應用，包括太陽能系統、不間斷電源、輔助逆變器、儲能系統和電動汽車充電樁等。

EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術。由于DCB材料的熱導率更高，結到散熱器的熱阻（R thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中，該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結溫，進而可以延長系統壽命。

供貨情況

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現在即可訂購。