QAxx3D-2GR3驅動電源重磅上市
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金升陽緊跟功率半導體市場動向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅動電源），可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅動器提供高可靠、高效率的驅動電源方案。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202105/425283.htm
一、產品介紹
1）高可靠性保障
QA-R3系列驅動電源在變壓器設計上采用了獨特設計，通過增加原副邊爬電距離，使得電氣間隙滿足14.5mm的安規要求，隔離電容3.5pF，隔離電壓達到5000VAC（基于EN61800-5-1標準要求）；產品采用加強絕緣設計，極大提高了可靠性。
該系列還滿足EN50178/EN61800-5-1標準要求，通過EN62368認證（認證中），符合UL62368設計要求；高可靠的設計保證其可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上，為IGBT/SiC MOSFET的驅動器提供高可靠的驅動電源方案。
2）效率高達88%
采用獨特電路設計方案，在電路設計上，減小了原副邊漏感的影響，極大地提升產品效率，使得產品效率高達88%，處于行業領先地位。
3）單路2.4W輸出功率，雙通道輸出，設計更靈活
采用雙通道輸出設計，單路輸出功率可達到2.4W，兩通道之間滿足加強絕緣要求（5000VAC隔離），有效降低了客戶的使用成本和占板面積使得客戶設計更加靈活。
二、產品應用
QA-R3系列驅動電源依靠高可靠性能，可滿足1700V及以下的常規IGBT/SiC MOSFET，應用領域涵蓋軌道交通，智能電網，風力發電，新能源，電機傳動，充電樁等。
一、產品特點
● 效率高達88%
● 隔離電壓高達5000VAC(加強絕緣)
● 最大容性負載200uF
● 隔離電容3.5pF typ.
● 工作電壓范圍：-40℃ to +105℃
● 整機材質符合CTI 1類
● 專為1700V IGBT/SiC MOSFET驅動器設計
● 符合UL62368、EN61800、EN50178標準認證要求
● 通過EN62368認證
| 型號標題 | 輸入 電壓 (VDC) | 輸出電流 (mA) | 工作溫度 | 輸出 電壓正 (VDC) | 效率 % | 隔離 電壓 (VAC) | 封裝 形式 |
| QA123D-2GR3 | 12 | 100/100 | -40℃ to+105℃ | 24 | 88 | 5000 | DIP |
| QA153D-2GR3 | 15 | ||||||
| QA243D-2GR3 | 24 |
詳細產品技術參數請參考技術手冊： QAxx3D-2GR3
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