安森美半導體發布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日發布 一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件 ，適用于功率密度、能效和可靠性攸關的高要求應用。設計人員用新的SiC器件取代現有的硅開關技術，將在 電動汽車(EV)車載充電器(OBC) 、 太陽能逆變器 、 服務器電源(PSU) 、電信和 不間斷電源(UPS) 等應用中實現顯著更好的性能。

安森美半導體新的車規AECQ101和工業級合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料，提供比硅更勝一籌的開關性能和更好的熱性能，因而提高系統級能效、功率密度，及減小電磁干擾(EMI)、系統尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封裝，具有市場最低的Rdson (12 mOhm)。 這技術還優化能量損失品質因數，從而優化了汽車和工業應用中的性能。 內置門極電阻 (Rg)為設計人員提供更大的靈活性，而無需使用外部門極電阻人為地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路魯棒性都有助于增強耐用性，從而提供更高的可靠性和更長的器件使用壽命。

安森美半導體先進電源分部高級副總裁Asif Jakwani在發布新品時說：“在現代電源應用中，如電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業計算及電信等其他應用， 高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的硅開關技術顯著提高性能，使工程師能夠滿足這些具有挑戰性的設計目標。 增強的性能降低損耗，從而提高能效，減少熱管理需求，并降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案?！?/span>

新器件均為表面貼裝，并提供行業標準封裝類型，包括TO247和D2PAK。

更多資源及文檔：

登陸頁： 寬禁帶方案

產品頁： 650 V SiC MOSFET